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西安电子科技大学郭威获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于多相位屏模型的电离层闪烁效应误差建模方法、系统、设备及介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116305968B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310292454.X,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种基于多相位屏模型的电离层闪烁效应误差建模方法、系统、设备及介质是由郭威;高新成;贺周杰;李小平设计研发完成,并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于多相位屏模型的电离层闪烁效应误差建模方法、系统、设备及介质在说明书摘要公布了:一种基于多相位屏模型的电离层闪烁效应误差建模方法、系统、设备及介质,方法包括:生成相位屏;获取方位向频谱数据;获取相位屏高度上的回波信号;加入hi高度上的电离层闪烁相位;方位向信号压缩;逆傅里叶变换;系统、设备及介质,用于实现一种基于多相位屏模型的电离层闪烁效应误差建模方法;本发明用多相位屏模型模拟电离层电子密度不规则体,用解压缩处理和相位替换获得所需的回波,通过空间位置对应相乘在雷达回波中添加不同高度上的闪烁相位,能实现分布式目标下星载合成孔径雷达电离层闪烁效应误差精确建模;本发明实现了点目标和整幅图像受电离层闪烁效应影响的误差建模仿真,具有幅宽广、可扩展性强的优势。

本发明授权一种基于多相位屏模型的电离层闪烁效应误差建模方法、系统、设备及介质在权利要求书中公布了:1.一种基于多相位屏模型的电离层闪烁效应误差建模方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,生成相位屏:根据雷达系统参数和h1、h2…hn高度上的电离层参数,分别生成h1、h2…hn高度上的相位屏,得到h1、h2…hn高度上的电离层闪烁相位步骤2,获取方位向频谱数据:将方位向图像数据S按列进行快速傅里叶变换FFT,得到方位向频谱数据SFFT;步骤3,获取相位屏高度上的回波信号:根据雷达系统参数,计算hi高度上对应的参考斜距根据这个参考斜距计算出hi高度上的方位向解压缩相位把该方位向解压缩相位添加到步骤2所得的方位向频谱数据上,得到hi高度上方位向回波频谱将这个hi高度上方位向回波频谱按列进行快速逆傅里叶变换IFFT,得到hi高度上方位向回波信号步骤4,加入hi高度上的电离层闪烁相位:将步骤3得到的hi高度上方位向回波信号添加上步骤1所得的hi高度上的电离层闪烁相位得到hi高度上受电离层影响后的方位向回波信号步骤5,方位向信号压缩:将步骤4得到的hi高度上受电离层影响后的方位向回波信号按列进行快速傅里叶变换FFT,得到hi高度上受电离层影响后的方位向回波频谱然后把这个hi高度上受电离层影响后的方位向回波频谱除以步骤3计算得到的hi高度上的方位向解压缩相位得到hi高度上受电离层影响后的方位向频谱数据将获得的hi高度上受电离层影响后的方位向频谱数据执行循环,重复应用在步骤3到步骤5中,直到设置的所有高度上的相位屏都添加到方位向回波数据中,得到受多层相位屏闪烁相位影响后的方位向频谱数据SI_FFT_all;步骤6,逆傅里叶变换:将步骤5得到的受多层相位屏闪烁相位影响后的方位向频谱数据SI_FFT_all按列进行快速逆傅里叶变换IFFT,得到受多层相位屏闪烁相位影响后的方位向图像数据SI_s。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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