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龙图腾网获悉天津大学申请的专利聚电解质/共价有机框架纳米片杂化膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116236918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310236544.7，技术领域涉及：B01D67/00；该发明授权聚电解质/共价有机框架纳米片杂化膜及其制备方法和应用是由姜忠义;何光伟;王绍宇;任燕雄设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本聚电解质/共价有机框架纳米片杂化膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种聚电解质共价有机框架纳米片杂化膜，该膜由共价有机框架纳米片和聚电解质组成。制备步骤主要是：通过界面聚合制备COF纳米片；分别配置适宜浓度的COF纳米片和聚电解质的溶液，并调节至特定pH，将两种溶液混合充分搅拌，获得组装体分散液；通过真空辅助自组装将适量的分散液沉积在聚丙烯腈基底上，干燥后得到杂化膜。基于聚电解质随pH变化具有不同的构象和荷电状态的特性，聚电解质与COF形成组装体的结构可以进行调控。本发明具有制备条件温和，制备过程可控性强，方法通用等优点。该膜用于CO2N2物系，具有超高的CO2渗透速率，良好的CO2N2选择性和优越的操作稳定性。该超薄杂化膜在碳捕集中具有良好的应用前景。

本发明授权聚电解质/共价有机框架纳米片杂化膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种聚电解质共价有机框架纳米片杂化膜的制备方法，该聚电解质共价有机框架纳米片杂化膜由共价有机框架纳米片和聚电解质组成，聚电解质修饰并诱导共价有机框架纳米片形成具有优异的机械性能和成膜性的组装体，以多孔聚丙烯腈为基底通过真空辅助自组装方法由所述组装体制备成厚度为8-200nm的超薄杂化膜；所述的共价有机框架纳米片是TpPa-SO3H、TpBd-SO3H2、TpPa-COOH、TpEB、TpTGCl、TpPa-PO3H2中的任何一种，所述的共价有机框架纳米片通过界面聚合制备所得；所述的聚电解质是聚乙烯亚胺、聚丙烯酸、聚乙烯磺酸，聚乙烯膦酸，聚乙烯胺中的任何一种，所述聚电解质通过静电相互作用桥接共价有机框架纳米片形成组装体；其特征在于：所述聚电解质的荷电状态和构象决定所述聚电解质和所述共价有机框架纳米片的组装模式，通过改变聚电解质水溶液pH值调控聚电解质的荷电状态和构象；将聚电解质水溶液与共价有机框架纳米片分散液搅拌共混形成组装体分散液；利用该组装体分散液通过真空辅助自组装的方法将组装体沉积在多孔聚丙烯腈基底上，干燥后得到超薄杂化膜。

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