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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种高速率电压失调补偿系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116449901B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310214148.4，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种高速率电压失调补偿系统是由赵霁;王星;张世琳;相立峰;张国贤;徐晓斌;吕广维设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速率电压失调补偿系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种高速率电压失调补偿系统，属于集成电路领域，包括均衡器、差分放大模块、电压失调判断检测模块、电压失调校准模块。所述均衡器用于均衡通过直流失调电压的监测和补偿，并以此进行均衡补偿调整，直到信号达到最佳均衡状态；所述差分放大模块对均衡器的输出信号进行限幅放大，使信号接近理想二进制信号，输出用于比较的基准信号；所述电压失调判断检测模块通过二级差分放大器结构将基准信号进行比较从而输出电压失调信号；所述电压失调校准模块快速搜索差分电压失调，判定失调深度，以可变精度进行失调补偿。本发明能降低静态电流，提高精度和速度，能实现高速环境下失调电压的快速和高精度补偿。

本发明授权一种高速率电压失调补偿系统在权利要求书中公布了：1.一种高速率电压失调补偿系统，其特征在于，包括：均衡器，通过对直流失调电压的监测和补偿，并以此进行均衡补偿调整，直到信号达到最佳均衡状态；差分放大模块，对均衡器的输出信号进行限幅放大，使信号接近理想二进制信号，输出用于比较的基准信号；电压失调判断检测模块，通过二级差分放大器结构将基准信号进行比较从而输出电压失调信号；电压失调校准模块，快速搜索差分电压失调，判定失调深度，以可变精度进行失调补偿；所述均衡器包括线性模拟均衡器和失调电压调节阵列；所述线性模拟均衡器对输入的高速信号进行均衡，通过自适应的源级负反馈电容来控制高频增益；所述失调电压调节阵列通过控制矩阵，改变其电流大小，以实现调节输出电压；所述线性模拟均衡器包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电流源、第九NMOS管~第十二NMOS管；第一三极管和第二三极管的基极分别接入差分信号INN和INP，发射极分别连接第三电阻的两端和第一电容的两端，集电极分别通过第一电阻和第二电阻接电源VDD；第一三极管和第二三极管的发射极同时通过第一电流源接地；第一PMOS管和第二PMOS管的漏端分别连接第一三极管和第二三极管的集电极；第一PMOS管和第二PMOS管的栅端均接n9信号；第一PMOS管的源端同时连接第九NMOS管的漏端和第十二NMOS管的漏端，第二PMOS管的源端同时连接第十NMOS管的漏端和第十一NMOS管的漏端；第九NMOS管的栅端接b1信号，第十NMOS管的栅端接b3信号，第十一NMOS管的栅端接b4信号，第十二NMOS管的栅端接b2信号，第九NMOS管~第十二NMOS管的源端均接地；所述失调电压调节阵列包括第一NMOS管~第八NMOS管、第十三NMOS管~第十五NMOS管、第一反相器、第二反相器；第一反相器的输入端接入启动信号，输出端同时连接第二反相器和第十五NMOS管的栅端，第二反相器的输出端连接第十三NMOS管的栅端，第十三NMOS管的漏端接VDD，源端同时连接第十四NMOS管的漏端和第十五NMOS管的漏端，第十四NMOS管的源端和第十五NMOS管的源端均接地；第十四NMOS管的漏端接自身栅端；第一NMOS管、第三NMOS管、第五NMOS管、第七NMOS管的源端同时连接第十四NMOS管的栅端；第一NMOS管、第三NMOS管、第五NMOS管、第七NMOS管的漏端分别连接第二NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管、第八NMOS管的漏端；第二NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管、第八NMOS管的源端均接地；第一NMOS管~第八NMOS管的栅端分别连接n1信号~n8信号。

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