恭喜深圳基本半导体股份有限公司揭丽平获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳基本半导体股份有限公司申请的专利一种功率半导体器件及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111285420.5，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种功率半导体器件及制备工艺是由揭丽平;周福鸣;柿木;和巍巍设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体器件及制备方法，通过低温低压预烧结的方式使功率半导体器件各层组件之间形成良好的粘接，避免烧结过程中各组件位置发生偏移，并在功率芯片上设置高度平衡膜用于平衡贴装铜箔的源级和未贴装铜箔的门极之间形成的高度差，使在一次烧结过程中，功率芯片整体受压均匀；本发明提出的技术方案不仅彻底解决烧结产品的高度差的影响，同时通过进一步优化烧结工艺，实现芯片上下表面一次烧结方案，采用铜线和铜带键合的方式，提高了模块功率循环的寿命。
本发明授权一种功率半导体器件及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：提供基板，采用低温低压贴装处理技术在所述基板上依次层叠设置第一烧结材料层、功率芯片和铜箔，所述铜箔靠近于所述功率芯片的一侧设置有第二烧结材料层，其中，所述铜箔对应于所述功率芯片的源极设置；在所述功率芯片上贴装高度平衡膜，所述高度平衡膜对应于所述功率芯片的门极设置；所述高度平衡膜用于平衡贴装铜箔的源极和未贴装铜箔的门极之间形成的高度差；对贴装完成的整体器件进行一次烧结处理，同时，将所述功率芯片与所述铜箔进行连接，以及将所述功率芯片与所述基板进行连接；在所述铜箔上键合连接铜带，得到功率半导体器件；其中，所述高度平衡膜的材质包括特氟龙膜、硅橡胶中的其中一种；所述烧结处理包括：将所述贴装完成的整体器件置于烧结模具中采用高温高压烧结工艺进行烧结。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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