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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利基础芯片、存储系统以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111275390.X，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权基础芯片、存储系统以及半导体结构是由寗树梁设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基础芯片、存储系统以及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种基础芯片、存储系统以及半导体结构，基础芯片包括：所述基础芯片被配置为，在写入阶段接收第一数据并进行错误校正码编码处理以生成编码数据，在所述写入阶段向存储芯片传输第二数据，所述第二数据包括所述第一数据和所述编码数据，在读取阶段接收来自所述存储芯片的所述第二数据并进行检错纠错处理，在所述读取阶段传输第三数据，所述第三数据为进行所述检错纠错处理后的所述第一数据。本申请实施例有利于提升存储系统的存储性能。

本发明授权基础芯片、存储系统以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种基础芯片，应用于存储系统，其特征在于，包括：所述基础芯片被配置为，在写入阶段接收第一数据并进行错误校正码编码处理以生成编码数据，在所述写入阶段向存储芯片传输第二数据，所述第二数据包括所述第一数据和所述编码数据，在读取阶段接收来自所述存储芯片的所述第二数据并进行检错纠错处理，在所述读取阶段传输第三数据，所述第三数据为进行所述检错纠错处理后的所述第一数据；编码模块，所述编码模块被配置为，在所述写入阶段接收所述第一数据并进行所述错误校正码编码处理，以生成所述编码数据；检错纠错模块，所述检错纠错模块被配置为，在所述读取阶段接收所述第二数据并进行所述检错纠错处理；第一串并转换模块，所述第一串并转换模块被配置为，在写入阶段接收所述第一数据并对所述第一数据进行第一串并转换处理，并将所述第一串并转换处理后的所述第一数据传输至所述编码模块；第一并串转换模块，所述第一并串转换模块被配置为，在读取阶段接收所述第三数据并对所述第三数据进行第一并串转换处理，并将所述第一并串转换处理后的所述第三数据传输至控制器。

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