恭喜富士胶片株式会社山田悟获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士胶片株式会社申请的专利转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法、电子器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115884875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180050843.0，技术领域涉及：B32B27/28；该发明授权转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法、电子器件的制造方法是由山田悟;野副宽;两角一真设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法、电子器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种不易产生图案外观不良的转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。本发明的转印膜具有临时支承体及在临时支承体上配置的树脂组合物层，树脂组合物层包含：树脂；及选自嵌段共聚物及式1所表示的化合物中的至少一个化合物，该嵌段共聚物包含：包含具有式A所表示的基团或式B所表示的基团的结构单元X的嵌段及包含具有聚氧化烯基的结构单元Y的嵌段。
本发明授权转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法、电子器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种转印膜，其具有临时支承体及在所述临时支承体上配置的树脂组合物层，所述树脂组合物层包含：包含碱溶性树脂或具备具有被酸分解性基团保护的酸基的结构单元的树脂中的任意一种的树脂；及选自嵌段共聚物及式（1）所表示的化合物中的至少一个化合物，该嵌段共聚物包含：包含具有式（A）所表示的基团或式（B）所表示的基团的结构单元X的嵌段及包含具有聚（氧化烯）基的结构单元Y的嵌段，式（A）*-（CH2）m-（CF2）n-CF3式（A）中，m及n分别独立地表示1～3的整数，*表示键合位置，式（B）*-L1-CH（CF3）-CF3式（B）中，L1表示氧原子或亚烷基，*表示键合位置，式（1）Z-L2-W式（1）中，Z表示所述式（A）所表示的基团或所述式（B）所表示的基团，L2表示单键或2价的连结基团，W表示包含聚（氧化烯）基的基团。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士胶片株式会社，其通讯地址为：日本国东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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