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龙图腾网恭喜株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110945727.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质是由清水富介;永户雅也;尾崎贵志;桥本良知;原田胜吉设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质，其使在衬底上形成的氧化膜的特性提高。交替地进行形成包含原子X的第1氧化膜的工序，其非同时地进行下述工序：形成包含第1官能团键合在原子X上的成分的第1层的工序，和使第1层氧化而形成包含原子X及氧的第2层的工序；和形成包含原子X的第2氧化膜的工序，其非同时地进行下述工序：形成包含第1官能团键合在原子X上的成分的第3层的工序，和在成为氧化力比使第1层氧化时的氧化力高的处理条件下，形成使第3层氧化而包含原子X及氧的第4层的工序。

本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，其具有进行下述a和b从而在衬底上形成第1氧化膜与第2氧化膜层叠而成的氧化膜的工序：a通过将包含下述a1和a2的循环进行n1次从而形成包含原子X的所述第1氧化膜的工序：a1对所述衬底供给具有在所述原子X上直接键合有第1官能团和第2官能团的部分结构、且所述第1官能团与所述原子X的键能比所述第2官能团与所述原子X的键能高的原料，形成包含在所述原子X上键合有所述第1官能团的成分的第1层的工序，其中，所述第1官能团包含烷氧基，所述第2官能团包含氨基、烷基、卤代基、羟基、氢基、芳基、乙烯基及硝基中的至少任一者；和a2对所述衬底供给第1氧化剂，使所述第1层氧化，形成包含所述原子X及氧的第2层的工序；和b通过将包含下述b1和b2的循环进行n2次从而形成包含所述原子X的所述第2氧化膜的工序：b1对所述衬底供给所述原料，形成包含在所述原子X上键合有所述第1官能团的成分的第3层的工序；和b2在氧化力变得比a2中使所述第1层氧化时的氧化力高的处理条件下对所述衬底供给第2氧化剂，使所述第3层氧化，形成包含所述原子X及氧的第4层的工序，其中，所述n1为1以上的整数，所述n2为1以上的整数。

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