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龙图腾网恭喜镇江汉邦科技有限公司申请的专利一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410763B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110491039.8，技术领域涉及：H01T23/00；该发明授权一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法是由于锁平;潘银汉设计研发完成，并于2021-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种间歇交错式放电的正负离子发生器，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；通断控制模块分别与电源管理模块、两个开关模块连接；开关模块接入到电源管理模块与离子发生模块之间的电路中；开关模块接入离子发生模块的输出端处；开关模块接入高压输出端的输入端处，开关模块基于通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断。本发明还可根据杀菌功能和负离子空气净化的功能需要不同，可自由调节正离子和负离子的发射时间，达到最好的杀菌效果。

本发明授权一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；所述输入电源与所述电源管理模块的输入端连接；所述电源管理模块的输出端分别与所述正离子发生模块的输入端、负离子发生模块的输入端连接；所述正离子发生模块的输出端与所述正高压输出端的输入端连接；所述负离子发生模块的输出端与所述负高压输出端的输入端连接；所述通断控制模块分别与电源管理模块、两个所述开关模块连接；一个所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述正离子发生模块之间的电路中，另一所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述负离子发生模块之间的电路中，或一个所述开关模块接入所述正离子发生模块的输出端处，另一所述开关模块接入所述负离子发生模块的输出端处，或一个所述开关模块接入所述正高压输出端的输入端处，另一所述开关模块接入所述负高压输出端的输入端处；所述开关模块基于所述通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断，所述开关模块为场效应管，场效应管的漏极接入电路，栅极与所述通断控制模块连接，源极接地；所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、反相器芯片；所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第二电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第四反相器的输入端、第一电容的一端、第二二极管的阳极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三二极管的阴极、反相器芯片中第四反相器的输出端、反相器芯片中第五反相器的输出端、第一电容的另一端、第二电容的一端、第二二极管的阴极、第一二极管的阴极连接；所述第二电容的另一端分别与所述第三电阻的一端、第四电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第五反相器的输入端、反相器芯片中第六反相器的输出端连接；所述第四电阻的另一端与所述反相器芯片中第六反相器的输入端连接；所述反相器芯片中第三反相器的输出端分别与第八电阻的一端、第十电阻的一端连接；所述第八电阻的另一端分别与所述第三二极管的阳极、第九电阻的一端、一个场效应管的栅极连接；所述第十电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、第十一电阻的一端、另一场效应管的栅极连接；所述反相器芯片中第三反相器的输入端分别与所述第五电阻的一端、第三电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输出端分别与所述第三电容的另一端、第四电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输入端分别与所述反相器芯片中第一反相器的输出端、第六电阻的一端连接；所述反相器芯片中第一反相器的输入端与所述第七电阻的一端连接；所述第四电容的另一端分别与所述第六电阻的另一端、第七电阻的另一端连接；所述第五电阻的另一端、第九电阻的另一端、第十一电阻的另一端接地；或所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第一电容、第二电容、第一电解电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、MCU芯片、稳压芯片；所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第一三极管的集电极连接；所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极、第一电容的一端、稳压芯片的阳极连接；所述第一三极管的发射极分别与所述第二电阻的一端、第六电阻的一端、MCU芯片的VCC脚、第二电容的一端、第一电解电容的正极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三电阻的一端、稳压芯片的参考极连接；所述第六电阻的另一端与所述MCU芯片的INT脚连接；所述第一电容的另一端、第二电容的另一端、电解电容的负极、第三电阻的另一端、稳压芯片的阴极接地；所述MCU芯片的PA脚与所述第四电阻的一端连接，PB脚与所述第七电阻的一端连接，TX脚与所述第十二电阻的一端连接，RX脚与所述第十三电阻的一端连接；所述第四电阻另一端分别与所述第十一电阻的一端、第二三极管的基极、第五电阻的一端连接；所述第二三极管的集电极分别与所述第八电阻的一端、第九电阻的一端连接；所述第九电阻的另一端分别与一个场效应管的栅极、第十电阻的一端连接；所述第十一电阻的另一端、第八电阻的另一端与所述电源管理模块连接；所述第五电阻的另一端、第二三极管的发射极、第十电阻的另一端接地；所述第七电阻另一端分别与所述第十四电阻的一端、第二三极管的基极、第十五电阻的一端连接；所述第二三极管的集电极分别与第十八电阻的一端、第十六电阻的一端连接；所述第十六电阻的另一端分别与另一场效应管的栅极、第十七电阻的一端连接；所述第十四电阻的另一端、第十八电阻的另一端与所述电源管理模块连接；所述第十五电阻的另一端、第二三极管的发射极、第十七电阻的另一端接地；第十二电阻、第十三电阻的另一端接地，其中，将正负离子发生器放置在待净化空间，当正负离子发生器开始工作时，通断控制模块控制接在产生正离子电路中的开关模块导通大于0S小于等于120S，控制接在产生负离子电路中的开关模块导通大于0S小于等于120S，正负离子发生器间歇的产生正、负离子。

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