恭喜高丽大学校产学协力团金相植获国家专利权
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龙图腾网恭喜高丽大学校产学协力团申请的专利包括单硅器件的尖脉冲发生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113887713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110186225.0，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权包括单硅器件的尖脉冲发生电路是由金相植;赵庚娥;任斗赫设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括单硅器件的尖脉冲发生电路在说明书摘要公布了：本发明涉及使单硅器件非周期性或周期性产生尖脉冲的包括单硅器件的尖脉冲发生电路，尤其，涉及如下的包括单硅器件的尖脉冲发生电路，即，通过互相关联地利用正反馈环与负反馈环，来选择性地输出与类似于生物振荡的神经振荡功能相关的尖脉冲，从而能够进行环形振荡器及神经元功能动作。
本发明授权包括单硅器件的尖脉冲发生电路在权利要求书中公布了：1.一种包括单硅器件的尖脉冲发生电路，其特征在于，上述单硅器件包括漏极区域、第一沟道区域、第二沟道区域、源极区域与栅极区域，其中输入电压从上述单硅器件的输入端子施加到上述漏极区域与栅极区域，当施加上述输入电压而在上述第一沟道区域内的势阱中蓄积的电荷载流子所生成的电势大于与去除上述第二沟道区域内的势垒的能级相对应的阈值的情况下，电荷载流子从上述源极区域移动到上述第一沟道区域与上述第二沟道通道区域，以生成使上述单硅器件从高阻态转变为低阻态的正反馈环，并根据生成上述正反馈环而发生的放电事件，将与所生成的电势相对应的尖脉冲输出到连接至上述源极区域的输出端子，其中上述势垒在施加上述输入电压的情况下造成空穴在上述第二沟道区域中蓄积或复合，随着上述单硅器件中的内部电阻基于上述放电事件而增加，以生成负反馈环，使得上述输入电压降低且上述单硅器件从上述低阻态转变为上述高阻态，从而复位所生成的上述尖脉冲。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人高丽大学校产学协力团，其通讯地址为：韩国首尔市城北区安岩路145；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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