恭喜深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司颜天才获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法、以及电子元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110015880.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体结构及其制备方法、以及电子元器件是由颜天才设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法、以及电子元器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制备方法、以及电子元器件，所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供一基材，所述基材上设有多个间隔设置的栅极结构，相邻两个所述栅极结构之间形成有沟槽，所述栅极结构包括栅极，所述栅极上方设有掩膜层；在所述基材上设置填充所述沟槽并覆盖所述掩膜层的填充层；去除所述栅极上方的掩膜层以及部分填充层，以暴露所述栅极结构；在所述栅极结构上裁剪形成图案开口，再去除所述沟槽内的填充层；在所形成有图案开口的所述基材上形成层间介电质层，然后平坦化，以暴露所述栅极结构，制得半导体结构。本发明采用先蚀刻后沉积的方式，使得在所述层间介电质在设置时的间隙纵横比较低，从而降低层间介电质层的填充难度。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法、以及电子元器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基材，所述基材上设有多个间隔设置的栅极结构，相邻两个所述栅极结构之间形成有沟槽，所述栅极结构包括栅极，所述栅极上方设有掩膜层；在所述基材上设置填充所述沟槽并覆盖所述掩膜层的填充层；去除所述栅极上方的掩膜层以及部分填充层，以暴露所述栅极结构；在所述栅极结构上裁剪形成图案开口，再去除所述沟槽内的填充层；在所形成有图案开口的所述基材上形成层间介电质层，然后平坦化，以暴露所述栅极结构，制得半导体结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道山厦社区中环大道中科谷产业园D栋101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号