恭喜苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116171495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103966.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权半导体结构的制作方法是由程凯设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的制作方法，利用对应于衬底的一个单元区的掩膜各开口孔占比大小不同，从而生长发光层时各开口内的反应气体的流速不同，发光层的生长速度不同，生长的发光层中各元素的掺入效率不同，进而使得生长的发光层中各元素的组分占比不同，LED的发光波长不同。上述工艺简单，能在一个衬底上制作可用于全彩LED的半导体结构，减小了全彩LED的尺寸。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底10，所述衬底10的表面包括若干单元区11，每一所述单元区11包括n个子单元区11a，n为大于等于2的正整数；在所述衬底10上设置图形化的掩膜12，所述图形化的掩膜12对应每一个所述子单元区11a具有一个开口12a；每一所述单元区11对应的n个所述开口12a的孔占比中至少存在一个所述开口12a的孔占比与其他n-1个所述开口12a的孔占比不同，其中，所述开口12a的孔占比为所述开口12a的面积与所述开口12a所对应的所述子单元区11a对应在所述图形化的掩膜12上的面积之间的比值；在各个所述开口12a暴露的所述衬底10上依次形成第一类型的半导体层13、发光层14以及第二类型的半导体层15，所述第二类型的半导体层15与所述第一类型的半导体层13的导电类型相反；所述发光层14中掺杂In元素或Al元素，调整所述开口12a的孔占比以调整所述开口12a内的所述发光层14中In元素或Al元素的组分占比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号