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恭喜株式会社三社电机制作所西村直树获国家专利权

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龙图腾网恭喜株式会社三社电机制作所申请的专利功率半导体模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115702495B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080102229.X,技术领域涉及:H01L25/07;该发明授权功率半导体模块是由西村直树;深井真志设计研发完成,并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

功率半导体模块在说明书摘要公布了:目的在于提供导通电阻小且能进行高频工作的功率半导体模块。具备:电源供应用的半导体芯片(2),形成有电压驱动型开关元件且在主面上设置有栅极电极(20G);散热板(3),与半导体芯片(2)的所述主面对置地配置并进行半导体芯片(2)的散热;布线基板(4),配置在半导体芯片(2)和散热板(3)之间并形成有与外部端子(6S)连接的栅极用布线图案(40G);内插板(5),在配置于半导体芯片(2)和布线基板(4)之间的板状基材上形成有介于栅极电极(20G)和栅极用布线图案(40G)之间的栅极电阻(50);树脂框体(7),将半导体芯片(2)、布线基板(4)和内插板(5)密封。

本发明授权功率半导体模块在权利要求书中公布了:1.一种功率半导体模块,其特征在于,具备:电源供应用的半导体芯片,形成有电压驱动型开关元件,在主面上设置有栅极电极;散热板,与所述半导体芯片的所述主面对置地配置,进行所述半导体芯片的散热;布线基板,配置在所述半导体芯片和所述散热板之间,形成有与第一外部端子连接的栅极布线;内插板,配置于所述半导体芯片和所述布线基板之间;以及树脂框体,将所述半导体芯片、所述布线基板和所述内插板密封,其中,所述内插板由板状基材构成,在所述板状基材形成有介于所述栅极电极和所述栅极布线之间的栅极电阻,所述栅极电阻是以沿厚度方向贯通所述板状基材的方式形成的所述板状基材的电阻区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株式会社三社电机制作所,其通讯地址为:日本大阪府大阪市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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