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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010645903.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及其形成方法是由于殿圣;崔壬汾;廖忠志;傅英哲设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在方法的一些实施例中，图案化开口包括：将辐射束投影到第二介电层，辐射束具有开口的图案。在方法的一些实施例中，单一图案化光刻工艺是极紫外EUV光刻工艺。在方法的一些实施例中，利用导电材料填充开口包括：将导电材料镀在开口中；以及平坦化导电材料和第二介电层以由导电材料的剩余部分形成第一金属线，在平坦化之后，第一金属线和第二介电层的顶表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底，具有第一p型阱区、第二p型阱区和设置在所述第一p型阱区和所述第二p型阱区之间的n型阱区；第一上拉晶体管，位于所述n型阱区中，所述第一上拉晶体管包括第一源极漏极区；第二上拉晶体管，位于所述n型阱区中，所述第二上拉晶体管包括第二源极漏极区；以及第一导电部件，电连接至电源电压节点，所述第一导电部件具有主部分、从所述主部分的第一侧延伸的第一焊盘部分、和从所述主部分的第二侧延伸的第二焊盘部分，所述第一焊盘部分位于所述第一上拉晶体管的所述第一源极漏极区上方并且电连接至所述第一上拉晶体管的所述第一源极漏极区，所述第二焊盘部分位于所述第二上拉晶体管的所述第二源极漏极区上方并且电连接至所述第二上拉晶体管的所述第二源极漏极区，所述第一焊盘部分和所述第二焊盘部分中的每一个均具有第一宽度，所述主部分具有第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；第一通孔，物理接触所述主部分和所述第一焊盘部分且完全着陆于所述第一导电部件内，并且将所述第一导电部件电连接至所述第一源极漏极区，所述第一通孔具有第三宽度，其中，所述第三宽度大于所述第一宽度和所述第二宽度。

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