恭喜华为技术有限公司赫然获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080093552.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由赫然;何志宏设计研发完成，并于2020-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括第一晶圆300、第二晶圆400和接触塞360，第一晶圆300中可以包括第一介质层320，第一介质层320中具有第一连接盘330，第二晶圆400和第一晶圆300键合，第二晶圆400包括第二介质层420，第二介质层420中具有第二连接盘430，接触塞360为填充于垂直通孔中的导电材料，用于电连接第一连接盘330和第二连接盘430，其中垂直通孔为通过刻蚀形成的贯穿第一晶圆300且部分贯穿第二晶圆400至第二连接盘430的上表面和或侧壁的通孔，第一连接盘330位于垂直通孔中且位于第一连接盘330之下的第一介质层320未被刻蚀，接触塞360可以从第一连接盘330的周围与第二连接盘430接触，从而利用简单的工艺实现接触塞360与第二连接盘430的可靠连接。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一晶圆、第二晶圆和接触塞；所述第一晶圆包括第一介质层，所述第一介质层中具有第一连接盘；所述第二晶圆与所述第一晶圆键合，所述第二晶圆包括第二介质层，所述第二介质层中具有第二连接盘；所述接触塞为填充于垂直通孔中的导电材料，用于电连接所述第一连接盘和所述第二连接盘；所述垂直通孔为通过刻蚀形成的贯穿所述第一晶圆且部分贯穿所述第二晶圆至所述第二连接盘的上表面和或侧壁的通孔，所述第一连接盘位于所述垂直通孔中且位于所述第一连接盘之下的第一介质层未被刻蚀，所述第一连接盘两侧或三侧的侧壁与所述接触塞接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号