恭喜苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利肖特基二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010026493.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权肖特基二极管及其制造方法是由程凯设计研发完成，并于2020-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种肖特基二极管及其制造方法。肖特基二极管包括氮化物沟道层；氮化物势垒层，氮化物势垒层形成于氮化物沟道层上；氮化物冒层，氮化物冒层形成于氮化物势垒层上，氮化物冒层包括激活区域和非激活区域；钝化层，钝化层形成于位于氮化物冒层上，钝化层包括第一凹槽，第一凹槽贯穿钝化层并暴露氮化物冒层，第一凹槽对应于激活区域；介质层，介质层位于钝化层上以及第一凹槽的内壁上，且介质层围成第二凹槽，介质层包括第三凹槽，第三凹槽贯穿介质层并暴露氮化物冒层上的部分激活区域；阳极层，阳极层形成在第二凹槽和第三凹槽内，阳极层与激活区域接触。
本发明授权肖特基二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：氮化物沟道层；氮化物势垒层，所述氮化物势垒层形成于所述氮化物沟道层上；氮化物冒层，所述氮化物冒层形成于所述氮化物势垒层上，所述氮化物冒层包括激活区域和非激活区域；钝化层，所述钝化层形成于所述氮化物冒层上，所述钝化层包括第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述钝化层并暴露所述氮化物冒层，所述第一凹槽对应于所述激活区域；介质层，所述介质层位于所述钝化层上以及所述第一凹槽的内壁上，且所述介质层围成第二凹槽，所述介质层包括第三凹槽，所述第三凹槽贯穿所述介质层并暴露所述氮化物冒层上的部分激活区域；阳极层，所述阳极层形成在所述第二凹槽和所述第三凹槽内，所述阳极层与所述激活区域接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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