恭喜感觉光子公司豪德·芬克尔斯坦获国家专利权
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龙图腾网恭喜感觉光子公司申请的专利包括高灵敏度光子混合结构的高量子效率盖革模式雪崩二极管及其阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980079997.5，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权包括高灵敏度光子混合结构的高量子效率盖革模式雪崩二极管及其阵列是由豪德·芬克尔斯坦设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括高灵敏度光子混合结构的高量子效率盖革模式雪崩二极管及其阵列在说明书摘要公布了：一种光电探测器器件包括半导体材料层以及半导体材料层中的至少一个光电二极管。该至少一个光电二极管被配置为被偏置超过至少一个光电二极管的击穿电压，以响应于检测到入射光子而生成相应的电信号。相应的电信号独立于入射光子的光功率。纹理区耦接至半导体材料层并且纹理区包括光学结构，该光学结构被定位成在由至少一个光电二极管检测入射光子时与入射光子相互作用。两个或更多个光电二极管可以限定光电探测器器件的像素，且光学结构可以被配置为将入射光子引导至像素的两个或更多个光电二极管中的任一个光电二极管。
本发明授权包括高灵敏度光子混合结构的高量子效率盖革模式雪崩二极管及其阵列在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器器件，包括：半导体材料层；所述半导体材料层中的至少一个光电二极管，所述至少一个光电二极管被配置为被反向偏置超过所述至少一个光电二极管的半导体结的击穿电压，以响应于检测到入射光子而生成相应的电信号，其中，所述相应的电信号独立于所述入射光子的光功率；以及纹理区，所述纹理区耦接至所述半导体材料层，并且所述纹理区包括光学结构，所述光学结构被定位成在由所述至少一个光电二极管检测所述入射光子时与所述入射光子相互作用，以及所述光学结构被配置为与所述入射光子直接从所述半导体材料层的、其上入射所述入射光子的表面行进到所述至少一个光电二极管的距离相比，增加在由所述至少一个光电二极管检测所述入射光子之前所述入射光子在所述半导体材料层中的光学路径长度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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