恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司宋佳获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910733555.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由宋佳;郑二虎;张海洋设计研发完成，并于2019-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成初始鳍部层；在所述初始鳍部层上形成多个分立排布的硬掩膜结构；在所述硬掩膜结构侧壁上形成第一氧化层；采用等离子体注入工艺对所述第一氧化层进行氧离子注入；刻蚀所述初始鳍部层，形成多个凸出于所述基底的鳍部。本发明有助于增加所述鳍部沿横向方向的厚度，其中，横向方向垂直于所述鳍部的延伸方向，且横向方向平行于所述基底顶部表面。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成初始鳍部层；在所述初始鳍部层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成多个分立排布的硬掩膜结构；在所述硬掩膜结构侧壁上形成第一氧化层；采用等离子体注入工艺对所述第一氧化层进行氧离子注入；以所述硬掩膜结构为掩膜，刻蚀所述绝缘层，在所述绝缘层内形成第一通孔；在所述第一通孔侧壁上形成第二氧化层；采用等离子体注入工艺对所述第二氧化层进行氧离子注入；刻蚀所述初始鳍部层，形成多个凸出于所述基底的鳍部；其中，所述等离子体注入工艺的工艺气体包括氧气等离子体及氩气等离子体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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