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龙图腾网恭喜宜矽源半导体南京有限公司申请的专利一种适用于级联电池包的高压隔离收发器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119944905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510432093.3，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权一种适用于级联电池包的高压隔离收发器是由刘李炎;赵寅升;陈铭设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于级联电池包的高压隔离收发器在说明书摘要公布了：本发明涉及电池管理技术领域，尤其涉及一种适用于级联电池包的高压隔离收发器，包括级联电池包模块和高压隔离收发器模块，级联电池包模块与高压隔离收发器模块串联，级联电池包模块收集并检测电池状态，高压隔离收发器模块用于实现电压转化，确保级联电池包之间直接通讯；高压隔离收发器模块包括低电平增益放大器A1、高电平增益放大器A2、低压输入级放大器A3和高压输入级放大器A4。本发明实现了级联电池包间在不同电压等级下的可靠通信。

本发明授权一种适用于级联电池包的高压隔离收发器在权利要求书中公布了：1.一种适用于级联电池包的高压隔离收发器，其特征在于：包括级联电池包模块和高压隔离收发器模块，级联电池包模块与高压隔离收发器模块串联，级联电池包模块收集并检测电池状态，高压隔离收发器模块用于实现电压转化，确保级联电池包之间直接通讯；高压隔离收发器模块包括低电平增益放大器A1、高电平增益放大器A2、低压输入级放大器A3和高压输入级放大器A4，所述低压输入级放大器A3用于将GND~VDD电源域的信号转换为GND~5V电源域的信号，低电平增益放大器A1用于放大处理GND~5V电源域的信号并将输出信号通过缓冲器B1发送至低电压级联电池包；所述高压输入级放大器A4用于将GND~VDD电源域的信号转换为VDD-5V~VDD电源域的信号，高电平增益放大器A2用于放大处理VDD-5V~VDD电源域的信号并将输出信号通过缓冲器B2发送至高电压级联电池包；低压输入级放大器A3包括增强型pmos管MP4、增强型pmos管MP5、增强型pmos管MP1、增强型pmos管MP2、增强型nmos管MN4、增强型nmos管MN5、齐纳二极管D1、齐纳二极管D2、齐纳二极管D3、齐纳二极管D7、齐纳二极管D8和齐纳二极管D9，增强型pmos管MP4、增强型pmos管MP1、增强型nmos管MN4、增强型pmos管MP5、增强型pmos管MP2和增强型nmos管MN5形成互补共源放大器，增强型pmos管MP4与增强型pmos管MP5的栅极与源极分别和偏置电压Vb1与电源VDD相连，增强型pmos管MP4与增强型pmos管MP5的漏极分别通过电阻R1与R2连接至增强型pmos管MP1与增强型pmos管MP2的源极；增强型pmos管MP1与增强型pmos管MP2的栅极分别与负端输入电压Vn与正端输入电压Vp相连，增强型pmos管MP1与增强型pmos管MP2的漏极分别和增强型nmos管MN4与增强型nmos管MN5的漏极相连，增强型nmos管MN4与增强型nmos管MN5的栅极与源极分别和偏置电压Vb2与地GND相连；齐纳二极管D1、齐纳二极管D2、齐纳二极管D3依次串联，齐纳二极管D1的负极与增强型pmos管MP4的漏极相连，齐纳二极管D3的正极与增强型pmos管MP1的栅极相连，齐纳二极管D7、齐纳二极管D8、齐纳二极管D9依次串联，齐纳二极管D7的负极与增强型pmos管MP5的漏极相连，齐纳二极管D9的正极与增强型pmos管MP2的栅极相连。

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