买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864319B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510338392.0，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置是由朱焜;吴胜武;刘世振设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法、电子装置在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括半导体衬底和硬掩膜层；在所述晶圆的边缘设置第一边缘保护环，对所述第一边缘保护环内侧的所述硬掩膜层进行刻蚀，以在所述硬掩膜层中形成定义深沟槽隔离结构的开口，其中，所述第一边缘保护环的内径小于所述晶圆的直径；在所述晶圆的边缘设置第二边缘保护环，对所述第二边缘保护环内侧的所述开口下方的所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述半导体衬底中形成深沟槽，其中，所述第二边缘保护环的内径大于所述第一边缘保护环的内径。本发明能够避免晶圆边缘的深沟槽底部出现长草。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底上的硬掩膜层；在所述晶圆的边缘设置第一边缘保护环，对所述第一边缘保护环内侧的所述硬掩膜层进行刻蚀，以在所述硬掩膜层中形成定义深沟槽隔离结构的开口，其中，所述第一边缘保护环的内径小于所述晶圆的直径；在所述晶圆的边缘更换设置第二边缘保护环，所述第二边缘保护环的内径大于所述第一边缘保护环的内径；所述第二边缘保护环内侧的区域包括设置所述第一边缘保护环时被所述第一边缘保护环遮蔽的遮蔽区域以及未被所述第一边缘保护环遮蔽的位于所述遮蔽区域内侧的未遮蔽区域，靠近所述晶圆边缘处的原本被所述第一边缘保护环遮蔽的所述遮蔽区域被所述第二边缘保护环暴露在外；对所述第二边缘保护环内侧的所述开口下方的所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述半导体衬底中形成深沟槽，在所述遮蔽区域中，所述硬掩膜层未被刻蚀而未能形成暴露所述半导体衬底的开口，所述深沟槽仅形成在所述未遮蔽区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人荣芯半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。