恭喜北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利存储器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510332312.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器件及其制作方法是由王宗巍;罗天阳;蔡一茂;张海粟设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器件及其制作方法；存储器件包括：衬底；源线，设于衬底上与衬底连接；多条选通线，设于源线远离衬底的一侧，多条选通线沿垂直于衬底的第一方向间隔排列；沟道结构，沿第一方向穿过多条选通线，沟道结构的底部与源线连接；沿选通线指向沟道结构的中心方向，沟道结构包括依次设置的栅绝缘层、电荷捕获层、隧穿层、沟道层和芯柱，芯柱包括沿远离源线的方向依次设置的第一隔离层、导电层和第二隔离层；位线，设于沟道结构远离源线的一侧。能够减少读取操作对存储单元的充放电时间，并降低读取操作产生的动态功耗；有利于提高存储单元的读取速度，延长存储器件的使用寿命。
本发明授权存储器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底；源线，设于所述衬底上与所述衬底连接；多条选通线，设于所述源线远离所述衬底的一侧，多条所述选通线沿垂直于所述衬底的第一方向间隔排列；沟道结构，沿所述第一方向穿过多条所述选通线，所述沟道结构的底部与所述源线连接；沿所述选通线指向所述沟道结构的中心方向，所述沟道结构包括依次设置的栅绝缘层、电荷捕获层、隧穿层、沟道层和芯柱，所述芯柱包括沿远离所述源线的方向依次设置的第一隔离层、导电层和第二隔离层；所述沟道结构与至少一条所述选通线相交处形成存储晶体管，所述导电层的电阻值大于所述存储晶体管导通时的沟道等效电阻，小于所述存储晶体管关断时的沟道等效电阻；位线，设于所述沟道结构远离所述源线的一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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