恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司李政获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119799432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510294266.X，技术领域涉及：C11D7/32；该发明授权一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法是由李政;杨昱霖;曹平设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法，属于半导体制造技术领域。所述清洗液至少包括：溶剂；活性组分；以及添加剂，所述添加剂的通式为；其中，R1、R2和R3各自为甲基、乙基或丙基中的一种；所述清洗液的耐低温温度为‑10℃~‑22℃。通过本发明提供的一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法，能够增强清洗效果，能够在低温条件下进行清洗，减少衬底或膜层的材料损失，避免材料损失对半导体制程的影响，提高半导体制程的良率。
本发明授权一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的清洗方法，其特征在于，采用清洗液在-10℃~-22℃下对衬底或膜层进行清洗，其中，所述清洗液包括溶剂、活性组分和添加剂，所述溶剂为水，所述活性组分为氢氧化铵和双氧水，所述添加剂为三甲基甘氨酸；所述氢氧化铵、所述双氧水和所述水的质量比为1:2:10，所述添加剂在清洗液中的质量含量为5%~15%。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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