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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510293140.0，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法是由李志强;雷程;梁庭;李博;李丰超;刘佳;贾平岗设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法，包括以下步骤：将对应晶态的氧化镁衬底进行清洗操作；待完成对所述氧化镁衬底的清洗操作，在所述氧化镁衬底上进行基于氧化硅的沉积操作，得到氧化硅层；对所述氧化硅层进行图案化处理，得到位于所述氧化镁衬底之上的氧化硅纳米结构；在所述氧化镁衬底上进行基于对应非晶态的氧化镁的沉积操作，以形成覆盖所述氧化硅纳米结构以及所述氧化镁衬底的氧化镁层；对所述氧化镁层进行刻蚀，以露出所述氧化硅纳米结构；将所述氧化硅纳米结构进行去除，以形成氧化镁纳米结构；对所述氧化镁纳米结构进行退火操作，以将对应非晶态的氧化镁纳米结构转换为对应晶态的氧化镁纳米结构。

本发明授权抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将对应晶态的氧化镁衬底进行清洗操作；待完成对所述氧化镁衬底的清洗操作，在所述氧化镁衬底上进行基于氧化硅的沉积操作，得到氧化硅层；对所述氧化硅层进行图案化处理，得到位于所述氧化镁衬底之上的氧化硅纳米结构；在所述氧化镁衬底上进行基于对应非晶态的氧化镁的沉积操作，以形成覆盖所述氧化硅纳米结构以及所述氧化镁衬底的氧化镁层；利用IBE刻蚀工艺对所述氧化镁层进行刻蚀，以露出所述氧化硅纳米结构；将所述氧化硅纳米结构进行去除，以形成氧化镁纳米结构；在真空环境下对所述氧化镁纳米结构进行维持预设退火时长的对应预设退火温度的退火操作，以将对应非晶态的氧化镁纳米结构转换为对应晶态的氧化镁纳米结构。

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