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龙图腾网恭喜上海陛通半导体能源科技股份有限公司申请的专利使用TEOS薄膜进行间隙填充的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510288051.7，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权使用TEOS薄膜进行间隙填充的方法是由苗春雨;周洁鹏;王晓芳设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用TEOS薄膜进行间隙填充的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种使用TEOS薄膜进行间隙填充的方法，包括步骤S1：将具有待填充间隙的衬底置于PECVD沉积腔室中，将衬底加热到预设温度后，向沉积腔室内通入流量为0.4gmin~2.0gmin的TEOS和流量为500sccm~3000sccm的氧气，使沉积腔室内维持预设的压力，开启高频电源和低频电源，经过预设的第一时长，于衬底表面沉积氧化硅薄膜；S2：将TEOS的流量调至小于0.4gmin，经预设的第二时长，使沉积腔室内的等离子体对衬底表面产生刻蚀效应；S3：向沉积腔室内继续通入TEOS和氧气，经过预设的第三时长，于衬底表面继续沉积氧化硅薄膜。本发明可在有效避免间隙填充的空洞缺陷的同时，确保氧化硅薄膜的生长速度，有助于在提高生产良率的同时降低生产成本。且操作方便，对设备的损伤较小。

本发明授权使用TEOS薄膜进行间隙填充的方法在权利要求书中公布了：1.一种使用TEOS薄膜进行间隙填充的方法，其特征在于，包括步骤：S1：将具有待填充间隙的衬底置于PECVD沉积腔室中，将衬底加热到预设温度后，向沉积腔室内通入流量为0.4gmin~2.0gmin的TEOS和流量为500sccm~3000sccm的氧气，使沉积腔室内维持预设的压力，开启高频电源和低频电源，经过预设的第一时长，于衬底表面沉积氧化硅薄膜；S2：将TEOS的流量调至小于0.4gmin，经预设的第二时长，使沉积腔室内的等离子体对衬底表面产生刻蚀效应；S3：向沉积腔室内继续通入TEOS和氧气，经过预设的第三时长，于衬底表面继续沉积氧化硅薄膜；其中，第二时长＜第一时长＜第三时长，步骤S3中的TEOS和氧气的流量均大于步骤S1中的流量。

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