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龙图腾网恭喜深圳索理德新材料科技有限公司申请的专利一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119750588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510246762.8，技术领域涉及：C01B33/035；该发明授权一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法是由聂雪伊;慈立杰;吉凤君;王预;李德平;秦圆设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法，包括以下步骤：制备具有层级孔隙结构的多孔炭基材；在所述多孔炭基材中依次沉积非金属掺杂气体和硅烷气体，得到非金属掺杂的硅基材料；在所述硅基材料表面进行多层碳包覆，得到硅基负极前驱体；对所述硅基负极前驱体进行热处理，得到非金属掺杂硅基负极材料。避免了掺杂不均的现象，提升了材料的电化学性能。

本发明授权一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备具有层级孔隙结构的多孔炭基材，其中，所述多孔炭基材的孔隙大小为0.1~100nm，按照百分比计算，所述层级孔隙结构包括30～90%的微孔、5～55%的介孔和5～55%的大孔，微孔的孔径为0.1～2nm，介孔的孔径为2～50nm，大孔的孔径为50～100nm；S2、在所述多孔炭基材中依次沉积非金属掺杂气体和硅烷气体，得到非金属掺杂的硅基材料，其中，非金属掺杂气体包括硼烷气体或磷烷气体；S3、在所述硅基材料表面进行多层碳包覆，得到硅基负极前驱体；步骤S3包括：S3.1、在等离子体气相沉积反应器中通入乙炔与氢气的混合气体，进行第一次沉积反应，乙炔的气体流量为5~10Lmin，氢气的气体流量为10-20Lmin，反应温度为500~800℃，沉积时间为30~120min，等离子体功率为300~600W，在所述硅基材料上形成第一碳包覆层；S3.2、停止通入乙炔与氢气的混合气体，通入乙烯或甲烷气体与氮气或氩气的混合气体，进行第二次沉积反应，乙烯或甲烷的气体流量为2~6Lmin，氮气或氩气的气体流量为8~12Lmin，反应温度为700~900℃，沉积时间为20~80min，等离子体功率为300~600W，在所述第一碳包覆层上形成第二碳包覆层，得到硅基负极前驱体；所述第一碳包覆层的厚度为5~15nm，所述第二碳包覆层的厚度为3~10nm；按体积比，乙炔：氢气=1:2，乙烯或甲烷：氮气或氩气=1:3；在步骤S3中反应温度与等离子体功率的关系式如下： 其中，为反应器内的温度（℃），Pt为等离子体功率（W），k为传热系数，表示热量的损失速率（W℃），为环境温度（℃），假设为室温，C为等离子体气相沉积反应器的热容（J℃），为初始的等离子体功率（W），为最大等离子体功率（W），为最大沉积时间（min），为控制指数，调整功率上升的速度，取值在0.5到2之间；S4、对所述硅基负极前驱体进行热处理，得到非金属掺杂硅基负极材料。

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