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龙图腾网恭喜江苏云途半导体有限公司申请的专利一种应用于车规芯片的低功耗上电复位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510101414.1，技术领域涉及：G06F1/24；该发明授权一种应用于车规芯片的低功耗上电复位电路是由侯冠男;高景;陈松设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于车规芯片的低功耗上电复位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于车规芯片的低功耗上电复位电路，包括：偏置电路、启动电路和上电复位电路。上电时，启动电路开始工作，启动信号将上电复位电路中的第四节点的输出强制置为高电平，上电复位电路输出复位信号；当偏置电路完成启动后，控制上电复位电路中的第一电流源和第二电流源开始工作，上电复位电路中的第三节点开始充电，在第三节点充电至导通电压以上后，上电复位电路开始执行复位判断逻辑。

本发明授权一种应用于车规芯片的低功耗上电复位电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于车规芯片的低功耗上电复位电路，包括：偏置电路、启动电路和上电复位电路，上电时，启动电路开始工作，启动电路输出启动信号，将上电复位电路中的第四节点的输出强制置为高电平，逻辑输出为高，上电复位电路输出复位信号；当偏置电路完成启动后，控制上电复位电路中的第一电流源和第二电流源开始工作，上电复位电路中的第三节点开始充电，在第三节点充电至导通电压以上后，上电复位电路开始执行复位判断逻辑，其中，上电复位电路包括PMOS管PM1、PM2、PM3、PM4、PM9、NMOS管NM1、NM2、NM3、NM4、第二电容C2、第一非门NOT1，PM9的源极连接电源电压Vdda，PM9的栅极连接启动电路，PM9的漏极连接PM3的源极，PM3的栅极连接启动电路、第一非门NOT1的输入端和NM3的栅极，PM3的漏极连接NM3的漏极，形成第二节点，NM3的源极接地，NM3的漏极还通过第二电容C2接地，PM1、PM2、PM4的源极连接电源电压Vdda，PM1、PM2的栅极连接PM2的漏极和NM1的栅极，形成第三节点，PM2的漏极连接NM4的漏极，NM4的栅极连接偏置电路，NM4的源极接地，PM1的漏极连接NM1、PM4的漏极，形成第四节点，NM1的源极连接NM2的漏极，NM2的栅极连接NM3的漏极，NM2的源极接地，PM4的栅极连接第一非门NOT1的输出端，PMOS管PM1、PM2、PM5、PM6、PM7、PM8、PM9的沟道长宽比成比例，NMOS管NM1、NM4、NM5、NM6、NM7的沟道长宽比成比例。

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