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龙图腾网恭喜昆山清元电子科技有限公司申请的专利反铁电薄膜及制备方法、含有其的反铁电容器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119287350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411804917.7，技术领域涉及：C23C18/12；该发明授权反铁电薄膜及制备方法、含有其的反铁电容器及制备方法是由刘亦谦;孙士伦;刘隽甫;徐绍亮设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本反铁电薄膜及制备方法、含有其的反铁电容器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反铁电薄膜及制备方法、含有其的反铁电容器及制备方法，反铁电薄膜包括多层顺电‑反铁电层，每层顺电‑反铁电层包括多个顺电区域，多个顺电区域弥散分布在反铁电区域中，制备方法为：将PbZrO3前驱体溶液和ABO3前驱体溶液混合，得到混合前驱体溶液；将混合前驱体溶液沉积在衬底材料上，通过旋涂沉积、烘烤和热解，得到至少具有两层顺电‑反铁电层的薄膜，再退火结晶处理，得到反铁电薄膜；反铁电容器基于反铁电薄膜制得，还包括单晶基底、导电电极层和金电极，反铁电薄膜位于导电电极层和金电极之间。本发明的反铁电薄膜具有阻挫反铁电序的结构，可提升反铁电相稳定性，推迟反铁电—铁电转变场并减小电滞回线的滞回。

本发明授权反铁电薄膜及制备方法、含有其的反铁电容器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将PbZrO3前驱体溶液和ABO3顺电前驱体溶液按照设定比例混合，得到混合前驱体溶液；其中，所述PbZrO3前驱体溶液与所述ABO3顺电前驱体溶液的浓度相同，浓度为0.1~0.4M，且所述ABO3顺电前驱体溶液与所述混合前驱体溶液的体积比为（1：10）~（2：3）；ABO3顺电前驱体为SrTiO3、CaTiO3、CaZrO3、SrZrO3、LaScO3、LaAlO3、LaGaO3、KTaO3和LnFeO3中的任意一种；步骤2：将步骤1所得混合前驱体溶液沉积在衬底材料上，经烘烤和热解得到首层的顺电-反铁电层，至少重复一次旋涂沉积、烘烤和热解处理，得到至少具有两层顺电-反铁电层的薄膜；其中，旋涂的转速为3000~6000转分钟，持续时间为10~60秒；烘烤的温度为100~500℃，时间为0.5~5min；热解的温度为350~550℃，时间为0.5~5min；步骤3：对步骤2所得的薄膜进行退火结晶处理，退火结晶的温度为550~800℃，时间为3~30min，得到反铁电薄膜。

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