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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路及驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119602585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791408.5，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路及驱动方法是由徐殿国;支帅青设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路及驱动方法在说明书摘要公布了：一种可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路及驱动方法，涉及电力电子领域。该电路在设计上不引入待控功率MOSFET漏源侧信息，仅通过对待控功率MOSFET栅极电压进行精细控制，实现待控功率MOSFET在开通过程中漏源电压、电流轨迹调控。该电路通过参数配置匹配待控功率MOSFET寄生参数以提升适用性，在待控功率MOSFET开通过程中，调控栅极电压在高于阈值电压阶段的电压上升斜率，从而实现漏源电压、电流轨迹调控，进而根据电力电子装置要求调控开通过程中漏源电流在反向恢复阶段产生的电磁噪声，解决了现有功率MOSFET驱动电路难以在开通过程中对栅极电压进行精细连续调控、无法在开通过程中使漏源电压和电流同时满足低电磁干扰和低损耗、难以满足电力电子装置高功率密度需求的问题。

本发明授权一种可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路及驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路，该驱动电路适用于使用功率MOSFET晶体管的电力电子装置，所述电力电子装置包含电能变换器、逆变器，该电路用于驱动待控功率MOSFET（08），其特征在于，所述可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路包括：第一预充模块（01），包括第一PMOS管（MP1）和第二PMOS管（MP2），其栅极输入分别连接第一开通使能信号（Vctrl1）和第二开通使能信号（Vctrl2），第一PMOS管（MP1）的源极连接电源VDD、第二PMOS管（MP2）的漏极连接节点net1，第一PMOS管（MP1）的漏极连接第二PMOS管（MP2）的源极；第二预充模块（02），包括第三PMOS管（MP3）和第四PMOS管（MP4），其栅极输入分别连接第三开通使能信号（Vctrl3）和第二开通使能信号（Vctrl2），第三PMOS管（MP3）的源极连接电源VDD，漏极连接节点net4；第四PMOS管（MP4）的源极连接节点net4，漏极连接地（GND）；第一充能模块（04），包括第一NMOS管（MN1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、二极管（D1）；第一NMOS管（MN1）的栅极输入连接第四开通使能信号（Vctrl4），第一NMOS管（MN1）的漏极经过第一电阻（R1）连接节点net1，第一NMOS管（MN1）的源极连接节点net6，并经过第三电阻（R3）连接节点net3；二极管（D1）的阴极连接节点net3，二极管（D1）的阳极连接节点net2，并经过第二电阻（R2）连接节点net1；第二充能模块（05），包括第五PMOS管（MP5）、第二NMOS管（MN2）和第四电阻（R4）；第五PMOS管（MP5）的源极连接电源VDD，第五PMOS管的栅极连接节点net4，第五PMOS管的漏极连接第二NMOS管（MN2）的漏极；第二NMOS管（MN2）的栅极连接节点net2，第二NMOS管（MN2）的源极经过第四电阻（R4）连接输出端Vgate；偏置模块（03），包括第三NMOS管（MN3）和第五电阻（R5），第三NMOS管（MN3）的漏极连接节点net5，并经过第五电阻（R5）连接节点net3；第三NMOS管（MN3）的栅极连接输入偏置信号Vbias；第三NMOS管（MN3）的源极连接地（GND）；第三充能模块（06），包括第四NMOS管（MN4），第四NMOS管（MN4）的漏极连接电源VDD，栅极连接节点net5，源极连接输出端Vgate；参数配置模块（07），包括可调的第六电阻（R6）和可调的第一电容（C1），第六电阻（R6）与第一充能模块（04）中第三电阻（R3）连接于节点net6，第六电阻（R6）通过第一电容（C1）连接地（GND）；外部栅极电阻（09），用于连接所述外部待控功率MOSFET（08）的栅极。

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