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龙图腾网恭喜航科新世纪科技发展(深圳)有限公司申请的专利一种微同轴转接的MMIC表贴封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411733360.2，技术领域涉及：H01L23/66；该发明授权一种微同轴转接的MMIC表贴封装结构及制备方法是由许戎戎;赵广宏设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微同轴转接的MMIC表贴封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微同轴转接的MMIC表贴封装结构及制备方法，其中，封装工装包括：上盖板和下盖板围成的封装腔室，所述封装腔室的侧壁开设有射频转接端口；所述封装腔室内部设置有MMIC芯片和微同轴转接组件，所述微同轴转接组件的一端连接所述MMIC芯片的射频接口，另一端延伸至射频转接端口。本申请极大地简化了毫米波频段级别MMIC芯片的封装难度，同时微同轴能形式可以比较容易的通过阻抗变换和垂直转接变为标准形式的表贴接口而不会引起信号损失，且具备更低的插入损耗。

本发明授权一种微同轴转接的MMIC表贴封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微同轴转接的MMIC表贴封装结构，其特征在于，包括：上盖板12和下盖板11围成的封装腔室，所述封装腔室的侧壁开设有射频转接端口16；所述封装腔室内部设置有MMIC芯片13和微同轴转接组件14，所述微同轴转接组件14的一端连接所述MMIC芯片13的射频接口，另一端延伸至射频转接端口16，且所述MMIC芯片（13）的射频接口位于平行于所述下盖板（11）所在平面的水平面中；所述射频转接端口16位于下盖板11远离上盖板12的一侧，所述微同轴转接组件14为垂直结构，将位于封装腔室内部的MMIC芯片13垂直转接至所述射频转接端口16；所述微同轴转接组件14包括中间传输导线141以及位于中间传输导线141外侧的屏蔽腔142；所述射频接口与所述中间传输导线141之间通过金丝引线互连，使所述MMIC芯片（13）射频接口由金丝引线与所述微同轴转接组件（14）连接，再通过所述微同轴转接组件（14）连接GSG端口。

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