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龙图腾网获悉杭州星原驰半导体有限公司申请的专利一种等离子体增强气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222935504U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422089024.0，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种等离子体增强气相沉积装置是由李浩源;齐彪;邵大立;史皓然;刘子婵;陆淋康;段琦琪;李宇晗设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离子体增强气相沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种等离子体增强气相沉积装置，包括等离子体发生系统、喷淋头、工艺腔体及抬升装置，等离子体发生系统包括第一电极棒、第一电极支路和第二电极管，喷淋头内部安装有第一电极板，第一电极支路与第一电极板电性连接，第二电极管连接有喷淋头保护罩，第二电极管与喷淋头保护罩构成导电通路，喷淋头保护罩底部安装有导电环，工艺腔体上设有腔体连接部，喷淋头保护罩通过导电环与工艺腔体的腔体连接部相连接，腔体连接部开设有与所述导电环紧密连接的导电凹槽，通过将腔体外壁加热板、基材加热器、喷淋头冷却流道、喷淋头盖板冷却流道组合，控制喷淋头温度，从而控制反应物状态，增强等离子体均匀性，提高镀膜质量。

本实用新型一种等离子体增强气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体增强气相沉积装置，包括等离子体发生系统100、喷淋头200、工艺腔体300及抬升装置400，其特征在于，所述等离子体发生系统100包括第一电极棒102、第一电极支路103和第二电极管104，所述喷淋头200内部安装有第一电极板222，所述第一电极支路103与所述第一电极板222电性连接，所述第二电极管104连接有喷淋头保护罩211，所述第二电极管104与所述喷淋头保护罩211构成导电通路，所述喷淋头保护罩211底部安装有导电环214，所述工艺腔体300上设有腔体连接部305，所述喷淋头保护罩211通过导电环214与工艺腔体300的腔体连接部305相连接，所述腔体连接部305开设有与所述导电环214紧密连接的导电凹槽，所述喷淋头200内还安装有喷淋头盖板228、冷却水道盖板229、第二气体均气板227、第一气体均气板226、第二电极柱224，所述工艺腔体300上还开设有主腔体302，所述主腔体302的外壁设置有外加热板301，主腔体302内设置有内加热板303，所述抬升装置400为加热板抬升机构411，所述主腔体302的底部安装有支架412，所述加热板抬升机构411通过支架412与所述主腔体302固定连接。

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