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龙图腾网获悉安徽熙泰智能科技有限公司申请的专利像素电路及其驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118711527B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410771520.6，技术领域涉及：G09G3/3233；该发明授权像素电路及其驱动方法是由孙林;刘胜芳设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素电路及其驱动方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种像素电路及其驱动方法。所述像素电路包括：数据写入单元，用于控制数据信号的输入；第一储能单元，用于将所述数据写入单元输出的数据信号进行存储；第二储能单元，用于和所述第一储能单元一起进行数据信号的存储；发光单元，用于进行发光显示；驱动单元，其输入端连接高电平VDD，控制端输入控制信号，输出端用于向发光单元提供发光电流；发光控制晶体管，用于控制所述驱动单元和所述发光单元的导通；补偿单元。本发明提供的适用于MicroOLED的像素电路可以补偿不同像素间的晶体管阈值电压特性差异，从而可以提高面板的显示品质。

本发明授权像素电路及其驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种像素电路的驱动方法，其特征在于，包括：数据写入单元，用于控制数据信号的输入；第一储能单元，第一端连接所述数据写入单元的输出端，用于将所述数据写入单元输出的数据信号进行存储；第二储能单元，第一端连接高电平VDD，第二端连接所述第一储能单元的第二端，用于和所述第一储能单元一起进行数据信号的存储；发光单元，用于进行发光显示；驱动单元，其输入端连接高电平VDD，控制端输入控制信号，输出端为S点，用于向发光单元提供发光电流；发光控制晶体管，其输入端连接所述驱动单元的输出端，控制端连接所述第一储能单元的第一端，输出端连接所述发光单元，用于控制所述驱动单元和所述发光单元的导通；补偿单元，输出端连接所述第一储能单元的第一端，输入端连接所述发光控制晶体管的输出端，控制端输入补偿控制信号，复位单元，所述复位单元连接所述发光单元的输入端，用于将所述发光单元进行复位；G点初始化单元，所述G点初始化单元连接所述第一储能单元的第一端，用于调整G点电压；依次包括步骤：初始化；自放电；写入信息；发光，其中自放电的步骤包括对补偿单元的工作时间进行调整以完成对发光控制晶体管阈值电压的调整；开启初始化，驱动单元打开，数据写入单元打开，第一PMOS晶体管第二PMOS晶体管第三PMOS晶体管发光控制晶体管均打开，写入数据DATA＝Vofs，对G点进行初始化；结束初始化，所述数据写入单元关闭，所述驱动单元关闭；开启自放电，时长为t，t＝t1+t2，补偿单元打开，在t1时间后所述补偿单元关闭，复位单元打开，在t2时间后所述复位单元关闭；在t1时间段内，第四PMOS晶体管导通，发光控制晶体管源极电位降低，从而其栅极电位升高，同时由于衬偏效应，发光控制晶体管阈值电压增大，直到源极和栅极压差等于发光控制晶体管的阈值电压，发光控制晶体管关闭，在t1时间段内：|VTH_EF|＝a*VDD-Vs+|VTH|＝Vs-Vg；VDD-VS*C2+[VDD-Vofs-Vs-Vg]*C1＝Vg-Vofs*C1*C2C1+C2；其中，VTH_EF为发光控制晶体管等效阈值电压，VTH为发光控制晶体管阈值电压，Vofs为初始化电压；Vs1＝{[a-1+x2]VDD+Vofs+|VTH|}[1+a-1+x2]；Vg1＝{1+aVofs-VDD-|VTH|1+x2}[1+a-1+x2]；其中，a为衬偏系数，x＝C2C1，Vs1为发光控制晶体管源极电压，Vg1为发光控制晶体管栅极电压，在t1时间段内，计算发光控制晶体管阈值电压补偿的表达式如下：VDD-Vs1*C2+[VDD-Vofs-Vs1-Vg1]*C1＝Vg1-Vofs*C1*C2C1+C2＝Q；t1时间段△Vs1为发光控制晶体管源极电压变化量，△Vg1为发光控制晶体管栅极电压变化量为：△Vg1＝Vg1-Vofs＝Q*C1+C2C1*C2；△Vs1＝Vs1-VDD＝Q*C1[C2*C1+C2]；△Vs1△Vg1＝1-b2；通过TD的电流：I＝β*Vs1-Vg1-|VTH_EF|2；其中，β为常数；在t2时间段内，第三PMOS晶体管打开，对OLED阳极进行初始化，电容C1、C2通过发光控制晶体管和第三PMOS晶体管进行自放电，由于此时G点处于浮动状态，此阶段SG压差保持不变，随着S点电压降低，发光控制晶体管阈值电压增大，直到达到新的平衡，S、G点电压：Vs2＝VDD-Vinit’-|VTH|aVg2＝Vs2-Vinit’，其中VTH为TD晶体管阈值电压写入信息，所述数据写入单元打开，第一PMOS晶体管导通，写入数据电压由Vofs1跳变至灰阶电压Vdata，G点电位变为Vdata，S点电位变化，此时G点电压通过C1耦合至S点；发光，所述数据写入单元关闭，所述驱动单元打开，第二PMOS晶体管发光控制晶体管打开，OLED开始发光，由于G点处于浮动状态，SG压差保持不变，S点电位变为VDD，发光控制晶体管电压变为|VTH|，此时，Vsg-|VTH|＝ba-1*Vofs-b*Vdata+ba-1|VTH|+1-b-ba*b2-2b*△Vg1其中,△Vg1＝1{1[mp+m*Vofs-β*m*tbC1]}-pm-Vofs＝1{1[mp+m*Vofs-β*m*tbC1]}-pm-Vofs如果t1＝t＝0，那么自放电阶段完全发生在t2时间段，自放电主要通过复位单元对OLED阳极进行初始化，此时发光控制晶体管的栅极电压变化量△Vg1＝0，|VTH|的补偿效果为：ba-1；如果t1＝t＝足够大，那么自放电阶段完全发生在t1时间段，此时补偿单元工作，调整发光控制晶体管的阈值电压，发光控制晶体管的栅极电压变化量ΔVg1不为零，阈值电压|VTH|的补偿效果由t1，时间段的电荷分配和衬偏效应共同决定，根据电荷分配和衬偏效应，|VTH|的补偿效果为：|VTH|＝ba-1+1-b-ba*b2-2b[b2-2b+a*b-12]＝[b-a*1-b2][b2-2b+a*b-12]；当a＝b时，当衬偏系数a等于电容比b，自放电阶段完全发生在t2时间段，t1＝0，t2＝t，|VTH|＝0；当a＝b1-b2，b＝C2C1+C2时，自放电阶段完全发生在t1时间段；其中a为衬偏系数，C1为第一电容值，C2为第二电容值，Vinit’表示在初始化阶段，OLED阳极的初始化电压；P是一个与电容电荷分配相关的常数，用于描述电容C1和C2在初始化阶段的电荷关系，m是一个与衬偏效应或电容耦合相关的比例系数；在初始化阶段，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、发光控制晶体管均打开，数据信号为Vofs，对G点进行初始化，当a介于b和b1-b2之间时，t1＝t*f[b,b1-b2]，函数f根据面板工作时进行调节。

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