拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司姜雨欣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种反应腔体盖板及薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222935499U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421354466.7，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种反应腔体盖板及薄膜沉积设备是由姜雨欣;王松设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反应腔体盖板及薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种反应腔体盖板及薄膜沉积设备。所述反应腔体盖板包括：盖板本体，其上设有透明的观察窗及至少一个穿腔管路的第一出气口，其中，所述观察窗用于观察所述反应腔体中的情况，所述穿腔管路用于将穿腔气体从所述反应腔体的下方传输到所述反应腔体的上方；以及导气管，其第一端连接所述第一出气口，而其第二端接入所述反应腔，以将从所述第一出气口泄露的穿腔气体导入所述反应腔体。
本实用新型一种反应腔体盖板及薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种反应腔体盖板，其特征在于，包括：盖板本体，其上设有透明的观察窗及至少一个穿腔管路的第一出气口，其中，所述观察窗用于观察所述反应腔体中的情况，所述穿腔管路用于将穿腔气体从所述反应腔体的下方传输到所述反应腔体的上方；以及导气管，其第一端连接所述第一出气口，而其第二端接入所述反应腔体，以将从所述第一出气口泄露的穿腔气体导入所述反应腔体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号