恭喜清华大学宋成获国家专利权
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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115762956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211390203.7，技术领域涉及：H01F10/12；该发明授权一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法是由宋成;黄琳;周永健;潘峰设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法。本发明太赫兹波发射器件包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层；所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配；所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au或者铜锰砷CuMnAs；所述垂直易磁化层的材质为钴铂多层膜或者钴钯多层膜。本发明太赫兹波发射器，利用垂直结构铁磁层在飞秒激光的激发下，其自旋流极化方向沿外面外磁场方向极化，该自旋流从铁磁层注入反铁磁层，通过反铁磁奈尔矢量使得自旋流极化方向发生偏转；由于反铁磁亚晶格具有局域空间反演对称性破缺，该电荷流在两个相邻的亚晶格上正好可以叠加而实现太赫兹波信号的发射。
本发明授权一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法在权利要求书中公布了：1.一种发射太赫兹波的方法，包括如下步骤：以基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件中垂直易磁化层的一面为正面，垂直于所述正面施加高于所述垂直易磁化层饱和磁化强度的外磁场，并在所述正面照射飞秒激光，即可在所述飞秒激光的对立面发射出太赫兹波；所述基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件，包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层；所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配，所述衬底层为铁电基片PMN-PT或者氧化镁基片MgO；所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au或者铜锰砷CuMnAs；所述垂直易磁化层的材质为钴铂多层膜或者钴钯多层膜。
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