恭喜华南理工大学唐鑫获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210972392.2，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用是由唐鑫;李国强;郑昱林设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了MXenes上低维AlN材料制备方法及应用，包括，在Ti3C2Tx层状材料上制备得到AlN纳米柱阵列，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。本发明AlNNRs在Ti3C2Tx上的范德华异质外延，构建了无需外部电源的肖特基型深紫外光电探测器，器件表现出很高的深紫外光响应度和极快的响应速度，并且具有优异的稳定性。
本发明授权一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种MXenes上低维AlN材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1将硅衬底清洗处理后，通过喷雾工艺将Ti3C2Tx水溶液均匀涂在表面，在高温真空干燥箱中去除水分得到Ti3C2Tx层状材料，获得Ti3C2Tx硅片；S2将Ti3C2Tx硅片置于射频辅助分子束外延设备中，在Ti3C2Tx硅片上生长出AlN纳米柱阵列，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒，得到AlNTi3C2Tx材料；S3制备TiAu电极，所述Ti3C2Tx层状材料上设有第一金属电极；所述AlN纳米柱阵列上设有第二金属电极；S4将包括第一金属电极、AlNTi3C2Tx及第二金属电极的整个结构置于快速退火炉中进行退火处理，使得金属与AlN、Ti3C2Tx形成欧姆接触。
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