买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司申请的专利一种高性能光探测器芯片外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210966917.1，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种高性能光探测器芯片外延片是由徐鹏飞;王岩设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能光探测器芯片外延片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能光探测器芯片外延片，包括InP衬底层和外延层，InP衬底层上设有外延层，外延层包括缓冲层、第一收集层、第二收集层、下波导层、悬崖层、下过渡层、上过渡层、P型多量子阱吸收层、上波导层、P型阻挡层、P型盖层和P型接触层。本发明通过芯片外延片上相应机构的设置，主要针对1550nm通信波段高灵敏度、高速、高饱和功率的波导型探测器的片上集成应用，利用III‑V多组分体系灵活的能带工程，通过P型多数载流子吸收层设计，载流子扩散阻挡层设计，过渡层和收集层设计来调节电场，加强电子流对光生电流的贡献，避免空穴运动速度慢带来的诸多不利效应，通过上下波导层的引入，加强波导中光子的限制，提高探测器响应度。

本发明授权一种高性能光探测器芯片外延片在权利要求书中公布了：1.一种高性能光探测器芯片外延片，其特征在于，包括：InP衬底层（1）；外延层（2），设于所述InP衬底层（1）上，所述外延层（2）包括缓冲层（201）、第一收集层（202）、第二收集层（203）、下波导层（204）、悬崖层（205）、下过渡层（206）、上过渡层（207）、P型多量子阱吸收层（208）、上波导层（209）、P型阻挡层（210）、P型盖层（211）和P型接触层（212），所述缓冲层（201）、第一收集层（202）、第二收集层（203）、下波导层（204）、悬崖层（205）、下过渡层（206）、上过渡层（207）、P型多量子阱吸收层（208）、上波导层（209）、P型阻挡层（210）、P型盖层（211）和P型接触层（212）依次设置，所述InP衬底层（1）为半绝缘或者N型，半绝缘为掺杂铁衬底，N掺杂浓度为大于1x1018cm-3，厚度为100-400微米，所述缓冲层（201）掺杂浓度为1x1018cm-3，厚度为0.2-0.5微米，所述第一收集层（202）为n型高掺杂InP材料，厚度为50-100nm，掺杂浓度大于3x1018cm-3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司，其通讯地址为：221000 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。