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龙图腾网恭喜合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210719832.3，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制作方法和显示面板是由余宏志;朱修剑设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法和显示面板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板，该阵列基板包括：衬底；第一底栅极层和第二底栅极层，复合绝缘层覆盖第一底栅极层和第二底栅极层，位于复合绝缘层远离衬底一侧的第一半导体层和第一栅绝缘层，位于第一栅绝缘层远离衬底一侧的第二半导体层和第二栅绝缘层，位于第二栅绝缘层远离衬底一侧的第二栅极层。沿阵列基板的厚度方向，第一底栅极层与第一半导体层、第二半导体层之间的垂直距离不同，第二底栅极层与第一半导体层、第二半导体层之间的垂直距离不同。本实施例提供的技术方案能够通过一套工艺流程得到具有不同亚阈值摆幅的晶体管，极大地改善有该阵列基板制备得到的显示面板的显示不均的现象，提高显示面板的显示效果。

本发明授权阵列基板及其制作方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一底栅极层和第二底栅极层，分别位于所述衬底一侧；复合绝缘层，位于所述衬底的一侧且覆盖所述第一底栅极层和所述第二底栅极层；第一半导体层，位于所述复合绝缘层远离所述衬底的一侧；第一栅绝缘层，位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧且覆盖所述第一半导体层；第二半导体层，位于所述第一栅绝缘层远离所述衬底一侧；第二栅绝缘层，位于所述第二半导体层远离所述衬底一侧且覆盖所述第二半导体层；第二栅极层，位于所述第二栅绝缘层远离所述衬底一侧；其中，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一底栅极层至所述第一半导体层的垂直距离与所述第一底栅极层至所述第二半导体层之间的垂直距离不同，所述第二底栅极层至所述第一半导体层的垂直距离与所述第二底栅极层至所述第二半导体层之间的垂直距离不同；所述第二栅极层包括第一顶栅极层和第二顶栅极层；所述第一半导体层包括第一源极区和第一漏极区，所述第二半导体层包括第二源极区和第二漏极区；所述第一顶栅极层与所述第一半导体层相对设置，所述第二顶栅极层与所述第二半导体层相对设置；所述第一顶栅极层与所述第一源极区连接；所述第二顶栅极层与所述第二底栅极层连接或所述第二顶栅极层与所述第一源极区连接；或：所述第二顶栅极层与所述第一半导体层相对设置，所述第一顶栅极层与所述第二半导体层相对设置；所述第一顶栅极层与所述第二源极区连接；所述第二顶栅极层与所述第二底栅极层连接或所述第二顶栅极层与所述第一源极区连接。

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