恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司陈远鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210699732.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法是由陈远鹏;请求不公布姓名;胡凯;刘方梅设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板和薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括第一有源层、第二有源层和栅极层，第一有源层包括位于非显示区的第一有源部，第二有源层包括位于非显示区的第二有源部和位于显示区的第三有源部，第二有源部与第一有源部层叠设置，第一有源层的迁移率大于第二有源层的迁移率，栅极层位于第二有源层背离第一有源层的一侧。本申请通过在非显示区采用层叠设置的第一有源部和第二有源部，并将栅极层设置在靠近迁移率较低的第二有源部的一侧，使得在提高非显示区驱动电流能力，减小非显示区设计尺寸，实现窄边框设计的同时，能够保证非显示区的驱动稳定性。
本发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，包括显示区和非显示区；薄膜晶体管层，设置在所述衬底基板上；所述薄膜晶体管层包括第一有源层、第二有源层和栅极层，所述第一有源层包括位于所述非显示区的第一有源部，所述第二有源层包括位于所述非显示区的第二有源部和位于所述显示区的第三有源部，所述第二有源部与所述第一有源部层叠设置，所述第一有源层的迁移率大于所述第二有源层的迁移率；所述栅极层位于所述第二有源层背离所述第一有源层的一侧，所述第二有源部覆盖所述第一有源部的侧边面，所述第一有源层的厚度小于所述第二有源层的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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