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龙图腾网恭喜浙江凯文磁业有限公司申请的专利一种中高性能钕铁硼磁体及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210437883.7，技术领域涉及：H01F1/057；该发明授权一种中高性能钕铁硼磁体及制备方法是由卢阳春;卢汉洲;强傲生设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中高性能钕铁硼磁体及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中高性能钕铁硼及制备方法，通过主辅相双合金工艺，主相合金为低稀土总量的铈铁硼，辅相为高稀土总量的钕铁硼合金，避免主相轻稀土进入晶界，而辅相中富余的稀土进入晶界重构成富稀土相。将制备的磁体加工成薄磁片，磁控溅射HReM低熔点合金，实现了低温晶界扩散，该合金提高了晶界浸润性，也提高了富稀土相的流动性，使含铈钕铁硼主、辅相晶粒，在晶界扩散时被快速隔离，低温扩散避免了扩散入的重稀土被镨钕铈元素置换，抑制了铈铁硼晶粒间交换耦合，使重稀土游离于晶界，或与富稀土相作用在主相晶粒表层形成核壳结构，使富稀土相连续均匀分布，有效提升了晶界扩散重稀土元素对提高含铈磁体内禀矫顽力的效能。

本发明授权一种中高性能钕铁硼磁体及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种中高性能钕铁硼磁体，其特征在于，该钕铁硼磁体包括主相合金和辅相合金，主相合金的质量占比为80-90%，辅相合金的质量占比为10-20%；主相合金的成分质量百分比为（CexRe1-x）aMbFe100-a-b-c-dBcCod；主相合金中的Ce为铈；Re稀土元素为Pr、Nd、Gd、Y中的两种或多种，0.5＜x＜1，Ce替代PrNd元素50%以上；主相合金的M为Al、Cu、Zr、Nb中的两种或多种，且含有Zr，主相合金氢碎时补入100-300ppm的纯氧，形成稳定的Ce2O3相，其中，a=28-30wt%，b=0-2.5wt%，c=0.85-0.95wt%，d=0.1-4wt%，其余为纯铁；辅相合金的成分质量百分比为ReaMbFe100-a-b-c-dBcCod；辅相合金Re稀土元素为Pr、Nd、Gd、Y中的两种或多种；辅相合金的M为Al、Cu、Ga、Zr、Nb、Ti中的两种或多种；其中，a=32-33wt%，b=0-3wt%，c=0.85-1wt%，d=0.1-4wt%，其余为纯铁；该中高性能钕铁硼磁体采用以下步骤制备：1）主相合金粉料的制备；2）辅相合金粉料的制备；3）混合：将钕铁硼主相合金粉料和辅相合金粉料按配方比例加入不锈钢料桶，采用三维搅拌机进行混合；4）取向成型：将合金粉末在氮气保护下磁场取向成型，得到压坯；5）烧结和回火：压坯经真空烧结和回火处理后，冷却得到钕铁硼磁铁；6）加工切割：将磁体加工切割成客户需要的厚度的1-10mm薄磁片，磁片为方片、瓦片或圆片，对磁片进行除胶除脂和清洗，确保表面洁净；7）磁控溅射或蒸镀HReM合金：对表面洁净的磁片进行磁控溅射或蒸镀HReM合金，将双面都完成镀膜的磁片，在氮气保护箱内装入钼烧结盒中，磁控溅射或蒸镀HReM合金，其成分质量百分比为HReaAlbCucGa100-a-b-c；HRe为Dy或Tb，a=50-70wt%，b=5-30wt%，c=5-20%，余数为Ga，该HReM合金的熔点为600-900℃；8）晶界扩散：将装入石墨盒的磁片，放入烧结炉中抽至高真空，升温至600-750℃保温8-12h进行晶界扩散，再经过450-550℃回火2-5h，制得中高性能钕铁硼磁体。

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