恭喜长飞光坊(武汉)科技有限公司黎宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜长飞光坊(武汉)科技有限公司申请的专利一种不对称纤芯部分掺杂的有源光纤及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210386216.0，技术领域涉及：H01S3/067；该发明授权一种不对称纤芯部分掺杂的有源光纤及其制备方法是由黎宇;孟悦;石旭东;陈章汝设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种不对称纤芯部分掺杂的有源光纤及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光纤技术领域，尤其涉及一种不对称纤芯部分掺杂的有源光纤及其制备方法，由内而外依次包括：纤芯和包层；所述纤芯包括一个稀土离子掺杂区域和未掺杂稀土离子区域，所述稀土离子掺杂区域与纤芯呈偏心结构，且稀土离子掺杂区域的偏移方向与有源光纤弯曲方向一致。纤芯直径为20‑150μm，所述稀土离子掺杂区域由纤芯中心点向弯曲方向的偏移量为0‑50μm，所述光纤数值孔径的范围：0.05‑0.2。本发明通过设计不对称偏芯的纤芯部分掺杂光纤能够将弯曲引起的模式畸变考虑进来，从而保证在光纤弯曲的情况下，既保持了基模的增益，又能够有效的降低高阶模的增益，从而使得光纤输出的光束质量提高，且能够有效得抑制横模不稳定的发生。
本发明授权一种不对称纤芯部分掺杂的有源光纤及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种不对称纤芯部分掺杂的有源光纤，其特征在于：由内而外依次包括：纤芯和包层；所述纤芯包括一个稀土离子掺杂区域和未掺杂稀土离子区域，所述稀土离子掺杂区域与纤芯呈偏心结构，且稀土离子掺杂区域的偏移方向与有源光纤弯曲方向一致，稀土离子是镱、铒、铥、钬、钕中的一种或者多种；所述稀土离子掺杂区域由纤芯中心点向弯曲方向的偏移量与有源光纤的弯曲半径成反比；所述纤芯直径为20-150μm；所述稀土离子掺杂区域由纤芯中心点向弯曲方向的偏移量为0-75μm。
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