买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜汕头超声显示器技术有限公司申请的专利一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210298477.7，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管是由陈玉云;沈奕;吕岳敏;张汉焱;陈远明设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管在说明书摘要公布了：一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极和漏极；绝缘层包括叠合而成的第一薄膜和第二薄膜；第一薄膜为由多个第一晶柱构成的多晶结构,第二薄膜为由多个第二晶柱构成的多晶结构，各个第二晶柱与各个第一晶柱错开设置；绝缘层通过如下步骤制造而成：步骤（1）通过第一次PVD工艺在基板上生长第一薄膜；步骤（2）对第一薄膜的表面进行改性，破坏各个第一晶柱的末端，形成表面层；步骤（3）通过第二次PVD工艺在表面层上生长第二薄膜。本发明可以完全采用PVD工艺来制作，不仅能够有效增加绝缘层的致密性，而且可大大减少工艺复杂度和对设备的投资，有利于提高制造效率和安全性。

本发明授权一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管在权利要求书中公布了：1.一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极和漏极，栅极被绝缘层所覆盖，有源层、源极、漏极均设置在绝缘层上，源极、漏极相对设置；其特征在于：所述绝缘层包括叠合而成的第一薄膜和第二薄膜，第一薄膜设置在所述基板上，第一薄膜具有改性后形成的表面层，第二薄膜生长在第一薄膜的表面层上；第一薄膜、第二薄膜均为绝缘无机薄膜，第一薄膜为由多个第一晶柱构成的多晶结构,第二薄膜为由多个第二晶柱构成的多晶结构，各个第二晶柱与各个第一晶柱错开设置；并且所述绝缘层通过如下步骤制造而成：步骤（1）通过第一次PVD工艺在基板上生长由多个第一晶柱构成的第一薄膜；步骤（2）对所述第一薄膜的表面进行改性，破坏各个第一晶柱的末端，形成表面层；步骤（3）通过第二次PVD工艺在第一薄膜的表面层上生长由多个第二晶柱构成的第二薄膜，叠合而成的第二薄膜和第一薄膜形成所述绝缘层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人汕头超声显示器技术有限公司，其通讯地址为：515000 广东省汕头市龙湖区龙江路12号(超声电子工业园)内液晶显示器主厂房东南侧；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。