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龙图腾网恭喜广州光达创新科技有限公司申请的专利一种一维光探测阵列组合获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210237931.8，技术领域涉及：H10K39/32；该发明授权一种一维光探测阵列组合是由黄飞;钟知鸣;杨喜业设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种一维光探测阵列组合在说明书摘要公布了：本发明涉及一种一维光探测阵列组合，其任意两个光敏层ALx1y1和ALx2y2，存在一个或多个差值响应峰△EQE1～△EQEm，而|△EQEmax|和|△EQEmin|中的较大值≥10％。本发明的光探测阵列，具有结构简单、制备难度低、可制备柔性器件支持角度探测等优势；无需滤光片，仅通过后期信号处理即可实现窄带宽探测；可通过对敏感光谱的调节，更改阵列的探测波长范围；还可以通过引入电子空穴传输层和调节各功能层的厚度，更改敏感光谱范围。

本发明授权一种一维光探测阵列组合在权利要求书中公布了：1.一种一维光探测阵列组合，其特征在于，所述一维光探测阵列组合为n×m的阵列组合，其中，n为一维光探测阵列的个数，所述一维光探测阵列彼此平行设置；m为每个一维光探测阵列中像素的个数；任意像素Pixxy中均对应地含有半导体器件Semxy；任意半导体器件Semxy中均对应地含有光敏层ALxy；并且所述任意一个光敏层ALxy均满足以下条件：1源于同一个一维光探测阵列中的任意两个光敏层ALx1y1和ALx1y2，具有相同的半导体器件结构和相同的光敏层结构；2源于不同的一维光探测阵列中的任意两个光敏层ALx1y1和ALx2y2，具有不同的半导体器件结构，或者具有不同的光敏层结构；其中，所述具有不同的光敏层结构的任意两个光敏层ALx1y1和ALx2y2，应满足如下条件：ALx1y1和ALx2y2的外量子效率响应光谱的差谱中，存在一个或多个差值响应峰差值响应谷△EQE1～△EQEm，外量子效率响应光谱的差谱中的任意△EQEx为正值、为负值或为0；其中，在所述△EQE1～△EQEm中，仅存在一个差值响应峰△EQEmax或差值响应谷△EQEmin，且|△EQEmax|和|△EQEmin|中的较大值，是|△EQE1|～|△EQEm|中的最大值；且所述|△EQEmax|和|△EQEmin|中的较大值≥10％；且除|△EQEmax|和|△EQEmin|中的较大值外的|△EQE1|～|△EQEm|中的其他值，均小于所述|△EQEmax|和|△EQEmin|中的较大值的50％。

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