恭喜甬矽电子(宁波)股份有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网恭喜甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111502711.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构是由何正鸿;徐玉鹏;李利;张超;钟磊设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。通过在载具的表面贴装形成第一胶膜凸起，然后塑封后形成包覆在第一胶膜凸起外的塑封体，然后去除载具和第一胶膜凸起，保留了具有第一凹槽的塑封体，然后在第一凹槽内贴装第一芯片，并在塑封体的表面形成钝化层，最后形成布线组合层并完成植球。相较于现有技术，本发明能够避免使用硅衬底刻蚀凹槽的方式来防止芯片，从而避免了刻蚀带来的一系列问题。并且采用胶膜凸起倒模的方式，降低了工艺难度，并且对于第一凹槽的尺寸管控更为精确，有利于芯片的安装。此外，由于在载具上完成塑封动作，在载具的支撑下能够有效防止塑封翘曲问题。
本发明授权扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，包括：在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起；在所述载具的一侧表面形成包覆在所述第一胶膜凸起外的塑封体；去除所述载具和所述第一胶膜凸起，以在所述塑封体的一侧表面形成与所述第一胶膜凸起对应的第一凹槽；在所述第一凹槽内贴装第一芯片；在所述塑封体的一侧表面形成钝化层；在所述钝化层上形成布线组合层；在所述布线组合层上植球，以形成焊球；其中，所述第一胶膜凸起的尺寸与所述第一芯片的尺寸相适配，所述钝化层覆盖在所述第一凹槽和所述第一芯片上，且所述焊球与所述布线组合层电连接，所述布线组合层与所述第一芯片电连接。
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