恭喜意法半导体(格勒诺布尔2)公司R·科菲获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(格勒诺布尔2)公司申请的专利集成电路的光学封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111505813.2，技术领域涉及：H10F77/00；该发明授权集成电路的光学封装件是由R·科菲;Y·博塔勒布设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路的光学封装件在说明书摘要公布了：公开了集成电路的光学封装件。电子芯片支撑光学器件和电连接区。绝缘涂层涂覆电子芯片，覆盖电连接区并暴露光学器件。光学插接元件至少部分地固定在绝缘涂层的第一面上，并光学耦合到光学器件。通孔穿过绝缘涂层从其第一面到与第一面相对的第二面。通孔的内壁支撑导电路径，导电路径通过设置在绝缘涂层的第一面上的导电轨道连接到电子芯片的电连接区。通孔的导电路径还具有突出到绝缘涂层的第二面上的端部。
本发明授权集成电路的光学封装件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造光学封装件的方法，所述光学封装件包括电子集成电路芯片，所述电子集成电路芯片支撑光学器件和电连接区，所述方法包括：形成覆盖所述光学器件的可热降解保护层；形成绝缘涂层，所述绝缘涂层涂覆所述电子集成电路芯片，同时覆盖所述电连接区，但不覆盖所述可热降解保护层；施加热处理以降解所述可热降解保护层，并且暴露所述光学器件；产生穿过所述绝缘涂层从第一面到与所述第一面相对的第二面的通孔；产生布置在所述绝缘涂层的所述第一面上并且从所述通孔延伸到所述电连接区的第一图案；在所述绝缘涂层的所述第二面上产生从所述通孔延伸的第二图案；在所述通孔中形成导电路径；在所述第一图案和所述第二图案中形成导电轨道；其中所述导电轨道在所述绝缘涂层的所述第一面处将所述导电路径电连接到所述电子集成电路芯片的所述电连接区，并且在所述绝缘涂层的所述第二面上形成突出结构；以及将光学插接元件至少部分地紧固到所述绝缘涂层的所述第一面上的、支撑所述光学插接元件与所述光学器件之间的光学耦合的位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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