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龙图腾网恭喜江南大学申请的专利一种磁隧道结器件的建模及优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114091283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111428541.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种磁隧道结器件的建模及优化方法是由姜岩峰;王曼曼设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁隧道结器件的建模及优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁隧道结器件的建模及优化方法，属于集成电路技术领域。所述方法包括在MTJ建模之前通过数据拟合提取初始参数，并在建模之后采用目标函数结合模拟退火算法对初始参数进行参数优化。本发明通过拟合进行初始参数的提取，并采用模拟退火算法进行参数优化，解决了MTJ缺少精确建模参数的问题，达到了精确建模的效果。根据本发明的方法，通过对实际器件实验测试得到的数据进行参数提取确定模型参数，有效降低了建模参数不准确带来的建模偏差，提高了模型的实际应用价值，在磁隧道结器件的建模及MRAM设计与仿真的领域具有广泛的应用前景。

本发明授权一种磁隧道结器件的建模及优化方法在权利要求书中公布了：1.一种磁隧道结器件的建模及优化方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一：基于MTJ的实验测试数据，提取用于MTJ建模的初始参数；步骤二：将提取得到的初始参数写入MTJ模型；步骤三：比较所述MTJ模型得到的J-R数据与测试得到的MTJ的J-R初始数据，并生成目标函数，由所述目标函数得到所述MTJ模型的仿真偏差；步骤四：采用模拟退火算法对初始参数进行优化；步骤五：将优化后的初始参数重新写入MTJ模型，得到精确的建模结果；所述方法的步骤一中，用于MTJ建模的初始参数包括：结构参数：MTJ的直径D、氧化层厚度tox、自由层厚度tFL；电学参数：零偏置电压下的隧穿磁阻率TMR0、隧穿磁阻率TMR等于TMR0的一半时对应的偏置电压Vh、电阻面积积RA、极化因子P；磁学参数：饱和磁化强度MS、磁晶各向异性常数Kb、界面各向异性常数Ki、有效各向异性场强度HKeff、阻尼因子a；其中，结构参数MTJ的直径D、氧化层厚度tox及自由层厚度tFL由实验测量得到；所述方法的步骤一中，对初始参数进行提取之前，对测试得到的基于MTJ电流密度-电阻的J-R数据进行对称处理；所述方法的步骤一中，对初始参数中的电学参数及磁学参数的提取通过已有公式拟合数据得到，包括：从对称处理后的J-R数据中提取零偏置电压下的隧穿磁阻率TMR0、隧穿磁阻率TMR等于TMR0的一半时对应的偏置电压Vh和极化因子P；从基于透射电子显微镜观察的MTJ直径-电导平方根D-G0.5数据中提取电阻面积积RA，其中，电导G为MTJ平行态时的电导；从基于自由层和氧化层界面的磁化曲线中提取饱和磁化强度MS；从基于振动样品磁强计测量的tFL-KtFL数据中提取各向异性常数Kb、Ki，其中，KtFL为面积有效磁各向异性能量密度；从基于铁磁共振测量的磁场角-共振场强度θ-HR数据中提取有效各向异性场强度HKeff；从基于铁磁共振测量的磁场角-半峰全宽θ-FWHM数据中提取阻尼因子a；所述步骤三中，使用的目标函数为：其中，gsRi是模型表征的J-R数据，geRi是实验测试得到的J-R数据；N是gsRi的数据点的个数，并且geRi的数据点也是N个；所述目标函数的结果表示所述MTJ模型的仿真偏差。

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