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龙图腾网恭喜深圳市山龙智控有限公司申请的专利一种电磁阀MOS管自保护装置及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115507215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111389161.0，技术领域涉及：F16K31/06；该发明授权一种电磁阀MOS管自保护装置及电路是由李耀斌设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电磁阀MOS管自保护装置及电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电磁阀MOS管自保护装置及电路，该电路包括：MOS管驱动电路和MOS管保护电路，且MOS管驱动电路和MOS管保护电路电连接，MOS管驱动电路包括一控制信号输入端和一驱动输出端，控制信号输入端用于接收电磁阀控制信号，驱动输出端用于在MOS管导通后将输出电压传输至电磁阀以使电磁阀工作；MOS管保护电路包括一保护电压接入端，MOS管驱动电路还包括一保护电压输出端，且保护电压接入端与保护电压输出端电连接；当保护电压低于预设保护电压值时，MOS管保护电路使得MOS管关断。本发明提供的电磁阀MOS管自保护装置及电路通过电子元器件的微秒级的响应，及时而可靠的保护MOS管,显著提高电磁阀系统保护的可靠性。

本发明授权一种电磁阀MOS管自保护装置及电路在权利要求书中公布了：1.一种电磁阀MOS管自保护电路，其特征在于，包括MOS管驱动电路和MOS管保护电路，且所述MOS管驱动电路和MOS管保护电路电连接，其中：所述MOS管驱动电路包括一控制信号输入端和一驱动输出端，所述控制信号输入端用于接收电磁阀控制信号，所述驱动输出端用于在MOS管导通后将输出电压传输至所述电磁阀以使电磁阀工作；所述MOS管保护电路包括一保护电压接入端，所述MOS管驱动电路还包括一保护电压输出端，且所述保护电压接入端与所述保护电压输出端电连接；当所述保护电压处于低电平时，所述MOS管保护电路使得所述MOS管关断；所述MOS管驱动电路还包括MOS管Q1、PNP三极管Q2、二极管D1、电阻R1、R2、R3、R4以及插接件CZ1，其中：所述PNP三极管Q2的基极与所述电阻R1和电阻R2的共同端电连接，所述电阻R1的另一端与所述控制信号输入端电连接，电阻R2的另一端与所述保护电压输出端电连接；所述PNP三极管Q2的发射极与所述电阻R2和所述保护电压输出端的共同端电连接；所述PNP三极管Q2的集电极与所述电阻R4的一端电连接；所述MOS管Q1的栅极与所述电阻R3和R4的共同端电连接，所述电阻R3的另一端接地；所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的漏极与所述插接件CZ1的第一引脚电连接，所述插接件CZ1的第二引脚接入第一电压；所述二极管D1的正极与所述插接件CZ1的第一引脚电连接，所述二极管D1的负极接入第一电压；所述MOS管保护电路还包括：PNP三极管Q3、Q4，NPN三极管Q5，电阻R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13以及电容C1、C2，其中：所述PNP三极管Q3的基极与所述电阻R6和R7的共同端电连接，所述电阻R6的另一端接入第二电压，所述电阻R7的另一端与所述电阻R5和所述保护电压接入端的共同端电连接，电阻R5的另一端接入第二电压；所述PNP三极管Q3的发射极接入第二电压；所述PNP三极管Q3的集电极与电阻R8的一端电连接，所述电阻R8的另一端与所述电阻R9、电阻R11以及电容C1的共同端电连接；所述PNP三极管Q4的基极与所述电阻R9、电阻R11以及电容C1的共同端电连接，所述电阻R11的另一端和电容C1的另一端均接地；所述PNP三极管Q4的发射极接地；所述PNP三极管Q4的集电极与所述保护电压接入端电连接；所述NPN三极管Q5的基极与所述电容C2、电阻R10、R13的共同端电连接，R13的另一端接入第一电压；所述NPN三极管Q5的集电极与所述电阻R9的另一端电连接；所述NPN三极管Q5的发射极与电容C2、电阻R10的共同端电连接；电阻R12的一端接入第一电压，另一端接入输入电压。

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