恭喜日新电机株式会社酒井敏彦获国家专利权
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龙图腾网恭喜日新电机株式会社申请的专利薄膜晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116324019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180063924.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权薄膜晶体管的制造方法是由酒井敏彦设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：一种薄膜晶体管的制造方法，包括：等离子体处理工序，使用包含氮及氧的混合气体作为工艺气体来对半导体层的表面进行等离子体处理；以及绝缘层形成工序，使用包含SiF4、氮、氧及氢的混合气体作为工艺气体，通过等离子体CVD法，在所述等离子体处理后的半导体层之上形成绝缘层。
本发明授权薄膜晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：等离子体处理工序，使用包含氮及氧的混合气体作为工艺气体来对半导体层的表面进行等离子体处理；以及绝缘层形成工序，使用包含SiF4、氮、氧及氢的混合气体作为工艺气体，通过等离子体化学气相沉积法，在所述等离子体处理后的半导体层之上形成绝缘层，在所述等离子体处理工序中供给的氮气的流量相对于氮气与氧气的合计流量的比例为90％以上，在所述等离子体处理工序中供给的氮气的流量相对于氮气与氧气的合计流量的比例、和在所述绝缘层形成工序中供给的氮气的流量相对于氮气与氧气的合计流量的比例相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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