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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利存储器子字驱动器布局获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114913891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111367871.3，技术领域涉及：G11C8/14；该发明授权存储器子字驱动器布局是由横道政宏设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器子字驱动器布局在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器子字驱动器布局。公开包含活动区和栅极电极的半导体装置。根据本公开的实例半导体装置包含在第一方向上延伸的栅极电极以及在第二方向上延伸的第一活动区和第二活动区。所述栅极电极具有在所述第一方向上延伸的侧。所述第一活动区包含：第一中心部分，其具有在所述第一方向上的第一宽度；以及第一末端部分，其安置在所述第一中心部分的第一末端处，且具有大于所述第一宽度的在所述第一方向上的第二宽度。所述第二活动区包含：第二中心部分，其具有在所述第一方向上的第三宽度。所述栅极电极沿着所述侧与所述第一末端部分和所述第二中心部分的部分重叠。

本发明授权存储器子字驱动器布局在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：栅极电极，其在第一方向上延伸，所述栅极电极包含在所述第一方向上延伸的侧；第一活动区，其在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述第一活动区包含：第一中心部分，其具有在所述第一方向上的第一宽度；以及第一末端部分，其处于所述第一中心部分的第一末端处，所述第一末端部分具有在所述第一方向上的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及第二活动区，其在所述第二方向上延伸，所述第二活动区包含：第二中心部分，其具有在所述第一方向上的第三宽度；以及第二末端部分，其安置在所述第二中心部分的第二末端处，所述第二末端部分具有在所述第一方向上的第四宽度，所述第四宽度大于所述第三宽度，其中所述栅极电极配置成沿着所述侧与所述第一末端部分的一部分重叠且沿着所述侧与所述第二中心部分的一部分重叠，且其中所述栅极电极配置成沿着与所述侧相对的另一侧与所述第二末端部分的一部分重叠且沿着所述另一侧与所述第一中心部分的一部分重叠。

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