恭喜上海东软载波微电子有限公司雷宇超获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海东软载波微电子有限公司申请的专利复位电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113890520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111364943.9,技术领域涉及:H03K17/22;该发明授权复位电路是由雷宇超;吕洁洁;陈光胜设计研发完成,并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本复位电路在说明书摘要公布了:一种复位电路,包括:偏置电流产生单元、电压检测单元、电压生成单元、比较单元以及输出单元,其中:偏置电流产生单元,其输出端与电压生成单元、电压检测单元以及比较单元耦接,适于根据预设的电源电压生成偏置电流并输出;电压检测单元,其输出端与电压生成单元耦接,适于在检测到电源电压变化时,控制电压生成单元的第一输出端的输出电压发生相应变化;电压生成单元,其第一输出端与比较单元的第一输入端耦接,其第二输出端与比较单元的第二输入端耦接;电压生成单元的第二输出端适于输出参考电压;比较单元,其输出端与输出单元的输入端耦接;输出单元,其输出端输出复位信号。上述方案能够实现电路系统的快速复位。
本发明授权复位电路在权利要求书中公布了:1.一种复位电路,其特征在于,包括:偏置电流产生单元、电压检测单元、电压生成单元、比较单元以及输出单元,其中:所述偏置电流产生单元,其输出端与所述电压生成单元、所述电压检测单元以及所述比较单元耦接,适于根据预设的电源电压生成偏置电流并输出;所述电压检测单元,其输出端与所述电压生成单元耦接,适于在检测到所述电源电压变化时,控制所述电压生成单元的第一输出端的输出电压发生相应变化;所述电压检测单元包括:第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第三PMOS管以及第一电容,其中:所述第三NMOS管,其栅极与其漏极接所述电源电压,其源极接所述第一电容的上极板;所述第四NMOS管,其栅极与所述电压检测单元的输入端耦接,其漏极与所述第三PMOS管的漏极耦接,其源极接地;所述第五NMOS管,其栅极与所述第三PMOS管的漏极耦接,其漏极与所述电压检测单元的输出端耦接,其源极接地;所述第三PMOS管,其栅极接所述电源电压,其源极与所述第三NMOS管的源极耦接;所述第一电容,其下极板接地;所述电压生成单元,其第一输出端与所述比较单元的第一输入端耦接,其第二输出端与所述比较单元的第二输入端耦接;所述电压生成单元的第二输出端适于输出参考电压;所述电压生成单元包括复位信号触发模块以及参考电压生成模块,其中:所述复位信号触发模块,其第一输入端与所述电压生成单元的第一输入端耦接,其第二输入端与所述电压生成单元的第二输入端耦接,其输出端与所述电压生成单元的第一输出端耦接;所述参考电压生成模块,其输入端与所述电压生成单元的第一输入端耦接,其输出端与所述电压生成单元的第二输出端耦接;所述复位信号触发模块包括:第四PMOS管、第五PMOS管以及第二电容,其中:所述第四PMOS管,其栅极与所述复位信号触发模块的第一输入端耦接,其漏极与所述第五PMOS管的源极耦接,其源极接所述电源电压;所述第五PMOS管,其栅极与其漏极耦接,且其漏极与所述复位信号触发模块的输出端、所述复位信号触发模块的第二输入端耦接;所述第二电容,其上极板与所述复位信号触发模块的第二输入端耦接,其下极板接地;所述比较单元,其输出端与所述输出单元的输入端耦接;所述输出单元,其输出端输出复位信号。
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