恭喜深圳大学陈跃星获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111345769.3，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜及其制备方法是由陈跃星;郑壮豪;何著臣;李甫;张君泽设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜及其制备方法，所述制备方法包括步骤：通过磁控溅射法制备得到Bi2Tey薄膜，其中，2.5≤y≤3.5；通过热蒸发法制备得到Se薄膜；将Bi2Tey薄膜和Se薄膜贴合设置并进行热处理，使Se薄膜中的Se升华并扩散到Bi2Tey薄膜中，得到N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜。本发明通过磁控溅射法使得制备得到的Bi2Tey薄膜质量好、成分均匀，通过热蒸发法制备得到密度较低的Se薄膜，更有利于后续的升华和扩散。通过磁控溅射法和热蒸发法的配合使用实现Se的均匀掺杂、Se掺杂和热处理同时进行，避免了Te和Se的损失，无缺陷产生，制备得到了成分可控且均匀的具有较高电输运性能的N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜。本发明中的N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜质量高，热电性能好、重复性好，可大面积生产。
本发明授权一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：通过磁控溅射法在第一基底上制备得到Bi2Tey薄膜，其中，2.5≤y≤3.5；通过热蒸发法在第二基底上制备得到Se薄膜；将第一基底上的Bi2Tey薄膜和第二基底上的Se薄膜贴合设置，并将第一基底与第二基底之间的缝隙利用密封胶密封后，在300～325℃的温度下进行热处理，使所述Se薄膜中的Se升华并扩散到所述Bi2Tey薄膜中，得到所述N型Bi-Te-Se基热电薄膜。
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