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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利宽温高耐压光电隔离开关封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111327527.1，技术领域涉及：H01L23/02；该发明授权宽温高耐压光电隔离开关封装结构及封装方法是由张佳宁;张广涵;郝开伟;吴冬;罗杰仙设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽温高耐压光电隔离开关封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种宽温高耐压光电隔离开关封装结构，包括壳体和上盖，所述壳体的内部空腔中设置有相互隔离的第一安装槽、第二安装槽和第三安装槽，分别用于安装光伏驱动芯片和两个功率场效应管芯片，所述第三安装槽通过第一缺口和第二缺口分别与第一安装槽和第二安装槽连通；所述第三安装槽的上方设置有内瓷片，所述内瓷片上对应光伏驱动芯片正上方的位置处设置有发光二极管芯片；所述壳体的内部空腔中填设有凝胶隔离介质。本发明中，采用光电二极管芯片在上，光伏驱动芯片在下的对射结构设计，形成局部腔体并填充隔离介质，能够提升隔离强度；通过第一缺口和第二缺口形成排气通道，便于在灌封后排气，确保凝胶隔离介质致密性，保证隔离强度。

本发明授权宽温高耐压光电隔离开关封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种宽温高耐压光电隔离开关封装结构，其特征在于，包括内部设有空腔的壳体和盖设在壳体开口处的上盖，所述壳体内部的空腔中设置有相互隔离的第一安装槽、第二安装槽和第三安装槽，所述第一安装槽中设置有第一功率场效应管芯片，所述第二安装槽中设置有第二功率场效应管芯片，所述第三安装槽中设置有光伏驱动芯片；所述第三安装槽通过第一缺口与第一安装槽连通，所述第三安装槽还通过第二缺口与第二安装槽连通；所述第三安装槽的上方设置有内瓷片，所述内瓷片的下端面上对应光伏驱动芯片正上方的位置处设置有发光二极管芯片；所述第一功率场效应管芯片的源极与第二功率场效应管芯片的源极及光伏驱动芯片的第一端电连接，所述第一功率场效应管芯片的栅极与第二功率场效应管芯片的栅极及光伏驱动芯片的第二端电连接；所述壳体的内部空腔中填设有凝胶隔离介质；所述壳体中空腔的一侧设置有第一台阶，所述第一台阶的中部设置有第二台阶；所述壳体中空腔的另一侧上对称设置有第三台阶和第四台阶，所述第三台阶和所述第四台阶高于第二台阶；所述第二台阶、第三台阶和壳体围合形成第一安装槽，所述第二台阶、第四台阶和壳体围合形成第二安装槽，所述第一台阶、第二台阶、第三台阶和第四台阶围合形成第三安装槽，所述第二台阶的宽度小于所述第三安装槽的宽度，从而在所述第二台阶的两侧分别形成第一缺口和第二缺口；所述内瓷片的两端分别搭设在第三台阶和第四台阶上，从而将第三安装槽围合成半封闭的腔体；所述壳体中沿壳壁设有一圈第五台阶，所述第五台阶的上端面低于壳体的上沿，且高于内瓷片的上端面；所述第五台阶对应第一安装槽的位置处和第二安装槽的位置处分别开设有一第三缺口，所述凝胶隔离介质的上端面达到或超出第三缺口的下端面；所述上盖设置在第五台阶上。

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