恭喜复旦大学张凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜复旦大学申请的专利一种拓扑绝缘体非易失性存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111309866.7，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种拓扑绝缘体非易失性存储器件及其制备方法是由张凯;朱颢;孙清清;张卫设计研发完成，并于2021-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种拓扑绝缘体非易失性存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种拓扑绝缘体非易失性存储器件及其制备方法。该拓扑绝缘体非易失性存储器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；铁电材料，覆盖所述埋栅；二维拓扑绝缘体，形成在所述铁电材料上；源极和漏极，形成在所述衬底上，并部分覆盖所述二维拓扑绝缘体，其中，所述铁电材料的剩余极化所对应的面电荷密度大于所述二维拓扑绝缘体的面电荷密度，利用所述铁电材料的极化翻转实现对二维拓扑绝缘体表面态载流子输运性质的调控，并利用所述铁电材料的剩余极化实现非易失性存储功能。
本发明授权一种拓扑绝缘体非易失性存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种拓扑绝缘体非易失性存储器件，其特征在于，包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；铁电材料，覆盖所述埋栅；二维拓扑绝缘体，形成在所述铁电材料上；源极和漏极，形成在所述衬底上，并部分覆盖所述二维拓扑绝缘体，其中，所述铁电材料的剩余极化所对应的面电荷密度大于所述二维拓扑绝缘体的面电荷密度，利用所述铁电材料的极化翻转实现对二维拓扑绝缘体表面态载流子输运性质的调控，并利用所述铁电材料的剩余极化实现非易失性存储功能，外电场下，由于铁电畴的极化翻转，铁电材料会出现极化电荷；当外电场消失时，剩余一部分极化电荷没有消失，这些极化电荷会调节二维拓扑绝缘体的面电荷密度和类型，实现对二维拓扑绝缘体面电荷的可逆、非易失性的调节，从而存储数据。
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